Название:	Широкополосные (2ГГц) GaInAsSb/GaAlAsSb p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.5-2.5 мкм
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-410 Вакуумная и плазменная электроника, СВЧ-электроника
Ключевые слова:	Широкополосные фотодиоды, быстродействие, гетероструктуры, высокочастотная оптическая связь, лазерная дальнометрия и локация, лазерная спектроскопия, газовый анализ, медицинская диагностика,
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Куницына,ЕВ
Подразделения:	лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
Код проекта:	07-02-01359
Финансирование 2007 г.:	450000
Исполнители:	Андреев,ИА: лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА) Гребенщикова,ЕА: лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА) Кижаев,СС: лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА) Романов,ВВ: лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА) Яковлев,ЮП : лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)

Проект посвящен исследованию переходных процессов в полупроводниковых материалах на основе GaSb при воздействии коротких импульсов оптического излучения и разработке неохлаждаемых высокоэффективных широкополосных (2 ГГц) p-i-n фотодиодов на основе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb гетероструктур. Новый подход к созданию быстродействующих фотодиодов заключается в использовании гетеропереходов II типа в системе твердых растворов InAs-GaSb. Определяющая роль гетерограницы II типа приводит к ряду новых оптических, фотоэлектрических и магнитотранспортных свойств. В проекте будут развиты новые физические и технические подходы к технологии эпитаксиального выращивания четверных твердых растворов на основе GaSb с низкой концентрацией и высокой подвижностью носителей - комбинированная эпитаксиальная технология, сочетающая жидкофазную эпитаксию (ЖФЭ) и газофазную эпитаксию из металлоорганических соединений (МОГФЭ). Широкополосные фотодиоды позволят изучать быстропротекающие процессы в физике лазеров, ядерной физике, физике космических лучей и т.д. Интенсивные научные разработки в области высокочастотных коммуникаций как по каналам ВОЛС, так и в открытом пространстве также требуют активизации усилий по созданию таких фотодиодов.