| Название: | Фазовый распад, сегрегационные явления и локализация носителей в InGaN эпитаксиальных слоях и наноструктурах с высоким содержанием In |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-205 Микроструктуры |
| Ключевые слова: | молекулярно-пучковая эпитаксия, А3В5 соединения, нитриды, InGaN кластеры, наноструктуры, излучательная рекомбинация, дислокации |
| Время действия проекта: | 2006-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Жмерик,ВН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 06-02-17306 |
| Финансирование 2006 г.: | 500000 |
| Исполнители: |
Листошин,СБ
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Плотников,ДС: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Ситникова,АА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Смирнов,АН
Ткачман,МГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Яговкина,МА : лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
|
В проекте планируется изучить особенности роста эпитаксиальных слоев соединений In$_x$Ga$_{1-x}$N и квантоворазмерных структур In$_х$Ga$_{1-х}$N/(InAlGa)N в области, где теоретически должна наблюдаться \"красная\" ($\\lambda$>550нм) люминесценция, т.е. в условиях высокого содержания In (х>0.2). Будут исследоваться механизмы эпитаксиального роста слоев и наноструктур в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) с целью детального описания процессов встраивания и последующего пространственного распределения In в InGaN, релаксации механических напряжений, возникающих на различных интерфейсных границах и приводящих к генерации объемных дефектов (дислокаций различных типов и других дефектов), а также поляризационных полей. Детально планируется изучить особенности фазового распада и сегрегационных явлений в InGaN c высоким содержанием индия для определения условий, приводящих к его пространственно-неоднородному распределению и образованию т.н. \"локализованных\" состояний - являющихся эффективными центрами излучательной рекомбинации. Одновременно с этим будет изучена дефектная структура слоев и наноструктур - прежде всего различных прорастающих дислокаций и других дефектов, которые ответственны за безызлучательную рекомбинацию и деградацию светоизлучающих структур. В результате комплексного подхода с использованием различных экспериментальных методов и математического моделирования должны быть установлены взаимосвязи между структурными и оптическими свойствами InGaN и заложены основы для разработки приборных конструкций и технологий изготовления оптоэлектронных приборов на основе нитридов III группы, работающих на предельно возможных длинах волн в красной области спектра.
