| Название: | Разработка технологии получения полупроводниковых наногетероструктур в системе AlGaN c высоким содержанием Al методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота для эффективных светоизлучающих и фото- диодов ультрафиолетового спектрального диапазона (280 -365 нм) |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
| Ключевые слова: | широкозонные полупроводники, нитриды третьей группы, наноструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, оптоэлектронные приборы, ультрафиолетовая область спектра |
| Время действия проекта: | 2007-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Жмерик,ВН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 07-02-13618 |
| Финансирование 2007 г.: | 2000000 |
| Исполнители: |
Лебедев,АВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Листошин,СБ
Люблинская,ОГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Ситникова,АА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Сорокин,СВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Торопов,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
|
?40.031.1.1.1178, \"Исследование технологии роста и фундаментальных свойств наноструктур на основе соединений А2В6 и А3-нитридов для электронных, оптоэлектронных и спинтронных приложений\" (Программа Минпромнауки \"Физика твердотельных наноструктур\" 2000-2003). ?02.434.11.1011, шифр: ИТ-12.6/001 <Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260-300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах>, выполняемые в рамках ФЦНТП <Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники> на 2002-2006 годы по приоритетному направлению <Информационно-телекоммуникационные системы> (Государственный контракт) 00-02-17022 Нано-гетероструктуры на основе A3-нитридов и A2Б6-халькогенидов бериллия: фундаментальные физические свойства и молекулярно-пучковая эпитаксия в области нестабильности твердых растворов (РФФИ) 03-02-17563 Полупроводниковые сверхрешетки и микрорезонаторы: фундаментальные задачи и молекулярно-пучковая эпитаксия (РФФИ) 03-02-17565 Локализация и энергетическая релаксация экситонов в объемных и квантово-размерных слоях твердых растворов III-нитридов, выращенных методом MBE (РФФИ) 04-02-17652 Экситоны в широкозонных вюрцитных наноструктурах на основе ZnO и GaN (РФФИ)
