Название:	Электрооптические свойства инжекционных структур с квантовыми точками InSb(As)/InAs(Sb), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	полупроводниковые гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовые точки, фотолюминесценция, электролюминесценция
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Люблинская,ОГ
Подразделения:	лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Код проекта:	07-02-01384
Финансирование 2007 г.:	650000
Исполнители:	Копьева,АГ Лебедев,АВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Мельцер,БЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Семенов,АН Ситникова,АА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН) Соловьев,ВА Терентьев,ЯВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Усикова,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)

Проект направлен на создание методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и детальное исследование электрооптических свойств гетероструктур с InSb(As)/InAs(Sb) квантовыми точками (КТ) типа II. В рамках данного проекта значительное внимание будет уделено выяснению особенностей самоформирования массива InSb(As) КТ в InAs(Sb) матрице в зависимости от режимов МПЭ роста в структурах с одиночными и множественными слоями КТ для осуществления контролируемого формирования точек с заданным энергетическим спектром. При разработке технологии роста КТ предполагается детально проанализировать влияние эффекта сегрегации сурьмы на химический состав InSb(As) КТ и профиль зонной структуры многослойных InSb(As)/InAs(Sb) наноструктур с КТ с точки зрения эффективности локализации носителей обоих типов. Для осуществления комплексных электрооптических исследований планируется разработать и оптимизировать конструкцию диодных структур с InSb(As)/InAs(Sb) КТ для достижения максимального перекрытия волновых функций носителей заряда и организации эффективного канала электронно-дырочной рекомбинации в КТ типа II. В оптимизированных структурах планируется детально изучить процессы захвата и излучательной рекомбинации носителей заряда в InSb(As) КТ при различных режимах электрической инжекции в зависимости от рабочей температуры и плотности тока накачки, а также изучить эффекты накопления заряда на интерфейсе КТ типа II и влияние этих эффектов на электронный спектр и излучательные свойства InSb(As)/InAs(Sb) КТ.