| Название: | Кинетика экситонной рекомбинации в структурах на основе (Ga,Al,In)N и Zn(Mg)O |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-205 Микроструктуры |
| Ключевые слова: | экситоны, поляритоны, А3-нитриды, ZnO, люминесценция, кинетика рекомбинации, времена затухания, фононные реплики, двухэлектронные сателлиты, плазмоны |
| Время действия проекта: | 2007-2009 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Шубина,ТВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 07-02-00786 |
| Финансирование 2007 г.: | 400000 |
| Исполнители: |
Лебедев,АВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Листошин,СБ
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Плотников,ДС: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Семенов,АН
Ткачман,МГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Торопов,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
|
Проект, результаты которого важны для ряда приборных применений, направлен на исследование кинетики экситонной рекомбинации в объемных слоях и наноструктурах на основе соединений (AlGaIn)N и (ZnMg)O. Современные методики исследования с высоким временным ($\\sim$15 пс) и пространственным ($\\sim$100 нм) разрешением составят экспериментальный базис проекта. Исследование лучших в мире к настоящему моменту образцов GaN и высококачественных слоев ZnO позволит прояснить процессы распространения и рассеяния экситон-поляритонов, перераспределение плотности состояний внутри экситонного спектра со временем и температурой, особенности рекомбинации с участием фононов и возбужденных состояний. Планируется изучение кинетики экситонов в массивах наноколонн с учетом электродинамических характеристик подобных сред. Исследование слоев и квантовых ям InGaN с составами, попадающими в область нестабильности, позволит исследовать не только локализацию носителей на композиционных неоднородностях, но и специфические эффекты в поглощении и излучении света, имеющие отношение к выделению металлической фазы. Предполагается установление механизма транспорта носителей, излучательной и безызлучательной рекомбинации экситонов и их комплексов в AlGaN структурах с большим содержанием Al. Методом спектроскопии фотолюминесценции с временным разрешением предполагается исследовать возникновение связанных экситон-плазмон состояний в структурах на основе InGaN, покрытых Au пленкой, и ZnO наноколоннах с Ag покрытием, где ожидается близость энергий экситонных и плазмонных резонансов. Планируется наблюдение перекачки энергии в плазмонную моду, сопровождаемой ускорением спонтанной рекомбинации экситонов.
