Название:	Рост и магнитооптические исследования гетероструктур на основе InAs, предназначенных для спинтронных применений
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники 02-208 Магнитные явления
Ключевые слова:	спиновое расщепление, магнитное вымораживание, арсенид индия, донор, примесная зона
Время действия проекта:	2006-2007
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Терентьев,ЯВ
Подразделения:	лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Код проекта:	06-02-17279
Финансирование 2006 г.:	350000
Исполнители:	Люблинская,ОГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Мельцер,БЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Семенов,АН Усикова,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)

Проект направлен на исследование электронных и оптических свойств классического узкозонного соединения InAs в условиях сильного легирования, когда среднее расстояние между примесями сопоставимо с боровским радиусом. Такая ситуация часто реализуется в гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). InAs является многообещающим кандидатом для применения в спинтронных приборах в качестве инжектора спин-поляризованных электронов благодаря большому g фактору электрона, как альтернатива разбавленным магнитным полупроводникам, требующим охлаждения до криогенных температур. Однако в настоящее время отсутствуют необходимые экспериментальные данные и адекватная теория, описывающие поведение примесной зоны в магнитном поле с учетом спинового квантования. В данном проекте предполагается проведение систематических экспериментальных исследований свойств примесной зоны эпитаксиального InAs методами магнитооптики, чувствительными к ориентации спина электрона, в широком диапазоне степени легирования и мощности возбуждения люминесценции. Описание спектра состояний электрона в примесной зоне, помимо магнитного квантования, будет учитывать вклад эффекта магнитного вымораживания и магнитоиндуцированного перехода полуметалл-диэлектрик. В результате выполнения проекта будет заложена необходимая экспериментальная и теоретическая база для создания методом МЛЭ спинтронных устройств на основе InAs.