| Название: | Рост и магнитооптические исследования гетеровалентных наноструктур А3В5/А2В6:Mn |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-205 Микроструктуры |
| Ключевые слова: | квантовые ямы, интерфейсы, разбавленные магнитные полупроводники, молекулярно пучковая эпитаксия, оптическая спектроскопия, экситоны |
| Время действия проекта: | 2006-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Торопов,АА |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 06-02-16394 |
| Финансирование 2006 г.: | 550000 |
| Исполнители: |
Бер,БЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Иванов,СВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Лебедев,АВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Семенов,АН: None
Соловьев,ВА: None
Сорокин,СВ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
|
Проект посвящен развитию технологии роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованиям новых полупроводниковых наноструктур - гетеровалентных двойных квантовых ям и квантовых точек, предназначенных для "спинтронных" применений. Отличительной особенностью этих структур является наличие в активной области гетеровалентного интерфейса, разделяющего электронно-связанные квантовые ямы или квантовые точки немагнитного полупроводника группы А3В5 (GaAs) и разбавленного магнитного полупроводника группы А2В6 (ZnCdMnSe). Такая конструкция позволит сочетать полезные свойства материалов обоих типов: медленные времена спиновой релаксации и большие подвижности электронов в слабо легированном GaAs и эффект гигантского Зеемановского расщепления в ZnCdMnSe. Таким образом, в одной монолитной гетероструктуре будут реализованы функции поляризации и сохранения электронного спина. Достижение резонанса уровней в электронно-связанных квантовых ямах и квантовых точках будет осуществляться варьированием толщин слоев гетероструктур, а также приложением электрического смещения к наноструктуре, помещенной в i-область p-i-n диода. В последнем случае будет реализован электрический контроль над спиновой поляризацией электронов. Детальные магнито-оптические исследования образцов с двойными квантовыми ямами позволят измерить радиационное время жизни и время спиновой релаксации экситона в уникальной системе, где дырка локализована в немагнитной квантовой яме (или точке), а вероятность нахождения электрона в области разбавленного магнитного полупроводника может контролироваться изменением параметров структуры или варьированием напряжения на образце. Полученные данные позволят внести ясность в вопрос о роли s-d спин-спинового взаимодействия в процессе спиновой релаксации электронов в разбавленных магнитных полупроводниках и сделать вывод о границах применимости новых гетеровалентных наноструктур для решения задач спинтроники.
