Название:Лазеры сине-зеленого спектрального диапазона 470-520 нм на основе обогащенных индием полупроводниковых наноструктур А3-нитридов, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Грантодатель:РФФИ
Область знаний:02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:02-202 Полупроводники
Ключевые слова:молекулярно-пучковая эпитаксия, плазменная активация азота, полупроводники, А3-нитриды, InGaN наноструктуры, фазовая сепарация, сегрегация, стимулированное излучение, p-i-n диод
Время действия проекта:2007-2008
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Иванов,СВ
Подразделения:
Код проекта:07-02-12233
Финансирование 2007 г.:1800000
Исполнители: Беляев,КГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Гронин,СВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Заморянская,МВ: лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
Плотников,ДС: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Семенов,АН: None
Шубина,ТВ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
99-02-17103 \"Поверхностно активированная молекулярно-пучковая эпитаксия как новый метод управления морфологией и фазовым составом кванотоворазмерных гетероструктур (РФФИ); 03-02-17565 Локализация и энергетическая релаксация экситонов в объемных и квантово-размерных слоях твердых растворов III-нитридов, выращенных методом MПЭ (РФФИ); 03-02-17567 Молекулярно-пучковая эпитаксия и исследование фундаментальных свойств нитрида индия (РФФИ); 05-02-16934 Плазмонные эффекты в композитных наноструктурах металл/полупроводник, выращенных методом молекурно-пучковой эпитаксии (РФФИ); 06-02-17306 Фазовый распад, сегрегационные явления и локализация носителей в InGaN эпитаксиальных слоях и наноструктурах с высоким содержанием In (РФФИ); 05-02-19875-ЯФ InN и наноструктуры на его основе: фундаментальные свойства, квантово-размерные и плазмонные эффекты (РФФИ-JSPS Япония); InGaN/AlGaN гетероструктура с интенсивной красной люминесценцией (Контракт ?75/1 от 28.09.2005 между ФТИ им. А.Ф.Иоффе и Samsung Electromechanics Co. Ltd., 2005-2006)