| Название: | Спин-зависимые гальваномагнитные явления в полупроводниках с сильным спин-орбитальным взаимодействием в условиях вымерзания фононов |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-205 Микроструктуры 02-210 Низкие температуры и сверхпроводимость |
| Ключевые слова: | полупроводники, интерфейс, 2D проводимость, одномерная проводимость, квантовые явления, слабая локализация, эффект Шубникова-де Гааза. |
| Время действия проекта: | 2006-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Фарбштейн,ИИ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 06-02-16500 |
| Финансирование 2006 г.: | 350000 |
| Исполнители: |
Аверкиев,НС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
Березовец,ВА: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Романов,КС: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Фокин,АВ: лаб. физики анизотропных материалов (Кумзерова,ЮА)
Черняев,АВ: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Шамшур,ДВ: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Якимов,СВ : лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
|
Проведение исследований спин - зависимых кинетических явлений в полупроводниках и полупроводниковых системах, отличающихся сильным спин-орбитальным взаимодействием, в области сверхнизких температур вплоть до T~75 mK, когда в результате \"вымерзания\" фононов на первый план выходят эффекты, качественно зависящие от спинового состояния носителей заряда. К таким эффектам, в частности, относится эффект слабой локализации. Особое внимание будет уделено низкоразмерным системам на основе Те - элементарного полупроводника с низкой кристаллической симметрией, в котором спиновое вырождение валентной зоны снято сильным спин-орбитальным взаимодействием и изменение спинового состояния дырок происходит при переходах между долинами, не связанными элементами симметрии кристалла. Намечено исследовать 2D слои на интерфейсе полупроводник-изолятор, квазиодномерные состояния системы линейных дислокаций в теллуре, нити теллура в каналах асбеста и др. Эти системы представляют интерес как новые материалы полупроводниковой электроники. Будет развита теория слабой локализации для двумерного гиперповерхностного интерфейсного слоя - теллур, натянутый на сферы из двуокиси кремния (структура опала). Ожидается, что вследствие геометрического фактора характерные значения магнитных полей, определяющих эффект слабой локализации, в том числе рассеяние с изменением спинового состояния, увеличатся в 2-3 раза. Обобщение теории магнетосопротивления, обусловленного слабой локализацией и эффектом Шубникова-де Гааза, на случай объемного теллура, с учетом особенностей его зонной структуры. Исследование области сверхнизких температур, где спиновые эффекты проявляются наиболее отчетливо. Анализ полученных экспериментальных результатов на основе развитой теории.
