Название:	Послойный анализ дефектной структуры кристаллов на основе новых методов рентгеновской дифракции
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Время действия проекта:	2006-2008
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Кютт,РН
Подразделения:	лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
Код проекта:	06-02-17307
Финансирование 2006 г.:	200000
Исполнители:	Мосина,ГН: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Ратников,ВВ: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Щеглов,МП : лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)

Проект направлен на поиск новых возможностей исследования дефектной структуры поверхностных кристаллических слоев, разработку неразрушающих рентгенодифракционных методов послойного анализа их структурного совершенства. Он является продолжением работ по дифракции в градиентных слоях с неравномерным распределением деформации и работ по влиянию структурных дефектов на рентгеновские дифракционные кривые от поверхностных структур. В ходе выполнения экспериментально и теоретически будут изучены процессы дифракции и особенности формирования дифракционной картины от кристаллических слоев с неравномерным распределением структурных нарушений по глубине. Будут рассмотрена проблема когерентности рассеяния от дефектов на разной глубине, влияние вторичной экстинкции на дифракционную картину, учет динамических эффектов. Будут составлены программы моделирования дифракционных кривых для структур, в которых не только деформация, но и плотность дефектов (таких как кластеры и дислокации) меняют! ся по глубине. В результате будут разработаны новые способы определения глубины залегания дефектов, основанные на анализе дифракционных распределений (в сочетании с моделированием кривых), и предложены новые экспериментальные методики послойного анализа структурного совершенства, чувствительные к глубине. С использованием новых и разработанных ранее методик будет исследовано образование и распределение дефектов в ряде поверхностных структур: многослойных эпитаксиальных композициях с релаксацией между отдельными слоями, ионно-легированных гетероструктурах и др.