Название: | Размерные эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках: тепловые и диэлектрические свойства |
Грантодатель: | РФФИ |
Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
Научная дисциплина: | 02-206 Сегнетоэлектрики и диэлектрики 02-204 Поверхность и тонкие пленки |
Ключевые слова: | сегнетоэлектрики, фазовые переходы, размерные эффекты |
Время действия проекта: | 2006-2008 |
Тип: | исследовательский |
Руководитель(и): | Шульман,СГ |
Подразделения: | |
Код проекта: | 06-02-16664 |
Финансирование 2006 г.: | 300000 |
Исполнители: |
Гольцман,БМ: лаб. физики термоэлементов (Буркова,АТ)
Давитадзе,СТ
Зайцева,НВ: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
Шаплыгина,ТА: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
Ярмаркин,ВК : лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
|
Целью проекта является детальное исследование эволюции физических свойств сегнетоэлектрической фазы и характеристик сегнетоэлектрического фазового перехода в тонких и ультратонких пленках при уменьшении их толщины и размеров кристаллитов в них. Универсальность полученных результатов обеспечивается разнообразием исследуемых материалов и использованием двух методов приготовления тонких пленок - высокочастотного катодного распыления и лазерного испарения. Будут исследованы температурные зависимости как тепловых(теплоемкость и теплопроводность), так и диэлектрических (процессы переключения поляризации, диэлектрическая проницаемость) свойств пленок разной толщины и с разными размерами кристаллитов. Тепловые свойства будут измеряться оригинальным методом зондового периодического нагрева, который разработан и опробован участниками проекта. Для определения структуры, состава и морфологии пленок будут использованы рентген-дифракционные методы и атомная силовая микроскопия. Сравнительный анализ полученных результатов позволит выявить общие закономерности влияния размерных эффектов на сегнетоэлектрическое состояние вещества и на основные характеристики фазовых переходов, а также оценить критический объем вещества, ограничивающий возможность существования сегнетоэлектрической фазы.