Название:	Получение и исследование 3С SiC p-n-структур на основе гексагональных подложек SiC методом сублимации в вакууме
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-205 Микроструктуры 02-212 Образование и структура кристаллов
Ключевые слова:	карбид кремния, гетероэпитаксия, сублимационная эпитаксия, политипы, рентгеновская дифрактометрия, деградация, вольтамперные характеристики, спектры фото- и электролюминесценции
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Сорокин,ЛМ
Подразделения:	лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
Код проекта:	07-02-00919
Финансирование 2007 г.:	350000
Исполнители:	Веселов,НВ: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Волкова,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Калмыков,АЕ: лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ) Лебедев,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Смирнов,АН: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН) Стрельчук,АМ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Трегубова,АС: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Щеглов,МП : лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)

Целью проекта является развитие метода сублимационной гетероэпитаксии карбида для создания 3С-SiC- pn структур на основе подложек 6Н и 4Н SiC. Структурное совершенство полученных гетероструктур будет исследовано рентгеновскими и электронно- микроскопическими методами. На основе образцов с лучшим структурным совершенством будут изготовлены экспериментальные образцы p- n-3С SiC диодов и JFET транзисторов и исследованы их вольтамперные (ВАХ) и вольфарадные характеристики, спектры DLTS, спектры фото- и электролюминесценции. Особенное внимание будет уделено исследованию ВАХ полученных структур в широком диапазоне рабочих токов и температур. Это позволит экспериментально доказать отсутствие деградации, связанной с образованием дефектов упаковки (SF), в 3С SiC диодах при пропускании больших плотностей прямых токов. Планируемое исследование позволит решить одну из ключевых проблем силовой электроники на основе карбида кремния - деградацию силовых приборов на основе гексагонального SiС. В случае успешного выполнения настоящий проект будет настоящим прорывом в развитии полупроводниковой электроники на карбиде кремния.