Название:	Резистивное переключение в оксидах переходных металлов и родственных соединениях
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-206 Сегнетоэлектрики и диэлектрики 02-204 Поверхность и тонкие пленки
Ключевые слова:	переходы металл-изолятор, резистивное переключение, оксиды переходных металлов, сегнетоэлектрики, тонкие пленки
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Ярмаркин,ВК
Подразделения:	лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
Код проекта:	07-02-00384
Финансирование 2007 г.:	400000
Исполнители:	Дрязгова,ВВ: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ) Зайцева,НВ: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ) Смирнова,ЕП: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ) Сотников,АВ: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ) Сочава,ЛС: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН) Шаплыгина,ТА: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ) Шульман,СГ : лаб. физики редкоземельных полупроводников (Соловьева,СМ)

Резистивное переключение, т.е. обратимое долговременное изменение электропроводности твердых тел, инициированное воздействием сильных электрических полей, интенсивно исследуется в последние годы в связи с разработками новых устройств энергонезависимой памяти. Будучи составной частью фундаментальной проблемы \"переходы металл-изолятор в твердом теле\", этот эффект чрезвычайно интересен с научной точки зрения. Наблюдаемое в настоящее время значительное различие в принципиальных подходах к его объяснению, с одной стороны, и недостаточная для практических применений стабильность и воспроизводимость параметров этого процесса, с другой, требуют проведения дополнительных исследований. Настоящий проект ставит своей целью исследование процессов резистивного переключения в объемных и тонкопленочных образцах простых и сложных оксидов переходных металлов (двуокись титана, титанаты стронция и бария и их твердые растворы). Будет исследовано влияние на эти процессы состава и толщины пленок, концентрации дефектов в них, материала электродов, сегнетоэлектрического упорядочения, температуры, характеристик переключающего электрического поля. Анализ полученных результатов будет способствовать более ясному пониманию физической природы эффекта резистивного переключения в диэлектрических и сегнетоэлектрических материалах.