Название:	Теоретико-экспериментальные исследования принципов построения многослойных гетероструктур для высокоэффективных каскадных фотопреобразователей
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08 - ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК
Научная дисциплина:	08-402 Возобновляемые источники и системы прямого преобразования энергии 08-400 ЭНЕРГЕТИКА
Ключевые слова:	Эффективность преобразования, фотопреобразователь, МОС - гидридная эпитаксия
Время действия проекта:	2005-2008
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Лантратов,ВМ
Подразделения:	лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Код проекта:	05-08-33348
Финансирование 2005 г.:	500000
Исполнители:	Бусов,ВМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Калюжный,НА: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Ложкина,ИЕ: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Малевская,АВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Минтаиров,СА: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Тимошина,НХ: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Трошков,СИ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Шварц,МЗ : лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)

В результате теоретических и экспериментальных исследований основных принципов построения и оптимизации структур многопереходных фотопреобразователей будут найдены предельно достижимые значения КПД их различных конструкций, предложены возможные комбинации полупроводниковых материалов, использование которых позволит повысить эффективность преобразования, определены параметры структур каскадных солнечных элементов (КСЭ), обеспечивающих оптимальное преобразование излучения с различными воздушными массами и концентрацией. Будут разработаны подходы и методы для оптимизации кристаллического, оптического и электрического совершенства слоев и гетероструктур в системах твердых растворов Al-Ga-As, Al-Ga-In-As, Al-Ga-In-P выращенных методом МОС - гидридной эпитаксии и определено влияние их качества на характеристики СЭ. Будут проведены экспериментальные исследования по оптимизации однопереходных фотопреобразователей и туннельных диодов, полученных методом МОС - гидридной эпитаксии, которые составляют структуру КСЭ для различных условий эксплуатации фотопреобразователей