Название:	Лазеры на модах шепчущей галереи для среднего ИК диапазона
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	динамика лазеров, полупроводники, кольцевые волноводы
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Яковлев,ЮП
Подразделения:	лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
Код проекта:	07-02-92170
Финансирование 2007 г.:	500000
Исполнители:	Аверкиев,НС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Монахов,АМ: None Шерстнев,ВВ : лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)

Проект посвящен созданию и исследованию полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазоне 2-4 мкм. Основной физической проблемой, не позволяющей до настоящего времени создавать лазеры, работающие при комнатной температуре в этом диапазоне, являются существенные оптические потери в узкозонном материале активной области. Для устранения этого недостатка в проекте будут развиты новые технологические и физические подходы к созданию лазеров, использующих волноводы дискообразной формы и работающих в режиме мод шепчущей галереи(WGM), когда их добротность очень велика. Это позволяет использовать в активной области материалы с низким оптическим усилением и уменьшить ток, необходимый для начала генерации. Использование ИК диапазона принципиально в том смысле, что из-за относительно большой длины волны качество границы полупроводник-воздух не так существенно, как для видимого диапазона. По крайней мере три типа полупроводниковых структур, используемых в качестве активных зон в инфракрасных WGM лазерах, будут исследованы: структуры с квантовой ямой (QW) на основе GaSb, двойные гетероструктуры (DH) и структуры с QW на основе InAs и InAs/AlSb квантовые каскадные структуры. Основной задачей проекта будет создание лазеров, с токовой накачкой, работающих при комнатной температуре и изучение их характеристик, что открывает возможность использования таких приборов в многочисленных приложениях.