Название:Участие в 29-ой Международной Конференции по физике полупроводников (29th ICPS)
Грантодатель:РФФИ
Область знаний: 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина: 02-202 Полупроводники
Ключевые слова:Ключевые слова: прохождение света, резонанс, рассеяние, диффузия, время-разрешенная спектроскопия
Тип:конференционный
Руководитель(и):Шубина,ТВ
Подразделения:
Код проекта: 08-02-08525
Финансирование 2008 г.:40000
Аннотация: 29-ая Международная конференция по физике полупроводников (29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS), проводимая раз в два года, состоится в г. Рио-де-Жанейро, Бразилия 27 июля - 1 августа 2008 г. Целью конференции, наиболее престижной и значимой в физике полупроводников, является освещение последних достижений в фундаментальной и прикладной физике полупроводниковых соединений и наноструктур, включая поверхностные и интерфейсные явления, квантовую обработку и передачу информации, новые материалы, квантоворазмерные и спиновые эффекты и различные аспекты взаимодействия света с веществом. Тематика конференции согласуется с темой РФФИ 07-02-00786 " Кинетика экситонной рекомбинации в структурах на основе (Ga,Al,In)N и Zn(Mg)O (руководитель -автор проекта). Работа автора проекта "Медленный свет в GaN" была высоко оценена програмным комитетом и рекомендована к включению в программу как приглашенный доклад (invited talk). Еще один доклад автора "Плазмонные эффекты в метал-полупроводниковых композитах с In нано-кластерами" принят на саттеллитной 15-ой Международной Конференции по Сверхрешеткам, Наноструктурам и Наноприборам (ICSNN), которая состоится 3-8 августа также в Бразилии (Натал). Организационные комитеты конференций поддержку не оказывают. В настоящей заявке запрашивается финансирование для оплаты авиабилета С.-Петербург - Рио-де-Жанейро - С.-Петербург (40000 руб.).