Название:	Участие в 24-ой Международной конференции по дефектам в полупроводниках
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ 6.3. Коды классификатора: 02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-205 Микроструктуры
Ключевые слова:	полупроводники, А3В5, Si/Ge, физика дефектов, бистабильность, гетероструктуры, пониженная размерность, квантовые точки.
Время действия проекта:	2007-2007
Тип:	конференционный
Руководитель(и):	Соболев,ММ
Подразделения:	лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Код проекта:	07-02-08526
Финансирование 2007 г.:	60000

Конференция организуется для проведения традиционного международного форума ученых, работающих в различных областях физики, химии и технологии для дискуссий по темам, имеющим общий интерес и значение в области дефектов в полупроводниках. Научная программа будет включать 10 тем с участием приглашенных докладчиков, а также секции стендовых докладов. Будут представлены доклады о фундаментальных и прикладных исследованиях дефектов, легированию и примесям в полупроводниках, а также в полупроводниковых структурах пониженной размерности, в том числе разрабатываемых при поддержке РФФИ. Будут также обсуждаться современные методы спектроскопии для исследования единичных дефектов и аспекты недавних теоретических исследований. Будет уделено внимание и перспективным новым материалам, в том числе и нитрида галлия. Будут обсуждаться актуальные проблемы, связанные с дефектами и примесями в объеме и квантовой яме, в магнитных полупроводниках и окислах. 6.6. Председатель оргкомитета: Стефан К. Естрейчер и Алан Ф. Райт