Название:	Спин-зависимые явления в неупорядоченных наносистемах
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	спиовая релаксация, неупорядоченные системы, латтинджеровская жидкость, графен
Время действия проекта:	2008-2010
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Перель,ВИ; Дмитриев,АП
Подразделения:	сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
Код проекта:	08-02-00311
Финансирование 2008 г.:	500000
Исполнители:	Алексеев,ПС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Любинский,ИС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Тараканов,ЮА: лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Гуревича,СА) Фурман,АС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Черемисин,МВ : сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)

В проекте будет исследован ряд эффектов в неупорядоченных электронных системах, в которых принципиальную роль играет спиновая степень свободы. Предполагается выполнить следующие исследования: 1) Изучить влияние классических эффектов памяти на спиновую релаксацию в сильном магнитном поле в 2D системе с плавным беспорядком. 2) Изучить влияние внешнего однородного магнитного поля на динамику спина в примесной зоне 3D и 2D полупроводников. 3) Исследовать спиновую релаксацию и спиновую диффузию в примесной зоне полупроводника при наличии случайного магнитного поля, создаваемого ядерными спинами. 4) Изучить динамику спина в режиме сильной локализации с учетом обменного взаимодействия. 5) Исследовать спин-зависимые явления в латтинджеровской жидкости, в частности, рассчитать зеемановский вклад в магнитосопротивление одномерной квантовой проволоки во втором порядке по межэлектронному рассеянию назад. 6) Изучить проявление спиновых степеней свободы в эффектах увлечения и туннелирования между двумя параллельными неупорядоченными квантовыми проволоками. 7) Построить фазовую диаграмму для спин-холловского изолятора в графене и бесщелевых полупроводниках.