Название:	Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в кристаллах III- нитридов и наноструктурах на их основе, легированных редкоземельными ионами
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	полупроводник, спектр и кинетика излучения, динамика носителей, редкоземельные ионы, сенсибилизация излучения, миграция носителей
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Мездрогина,ММ
Подразделения:
Код проекта:	07-02-00854
Финансирование 2007 г.:	500000
Исполнители:	Анкудинов,АВ: лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ) Даниловский,ЭЮ: лаб. атомной радиоспектроскопии (Александрова,ЕБ) Жмодиков,АЛ: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН) Кожанова,ЮВ: None Криволапчук,ВВ: None Москаленко,ЕС: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН) Петров,ВН : лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)

Целью данного проекта является исследование влияния механизмов миграции возбуждения и захвата носителей на сенсибилизацию излучения и реконструкцию морфологии поверхности как в кристаллах, так и наноструктурах на основе III- нитридов, легированных редкоземельными ионами на примере эрбия и европия (GaN). Ранее авторами данного проекта было показано, что совместное легирование GaN редкоземельными ионами и специально подобранным ко-допантом позволило достигнуть значительной сенсибилизации излучения в заранее заданном диапазоне спектральной области. Актуальность предлагаемого проекта заключается в определении возможности получения лазерного эффекта на длинах волн, соответствующих внутрицентровым f-f переходам Er и Eu. Поскольку лазерный эффект зависит от заселения состояний редкоземельных ионов, то в рамках данного проекта будут исследованы механизмы миграции возбуждения и захвата носителей в кристаллах III - нитридов и наноструктурах на их основе, легированных редкоземельными ионами с различным уровнем заполнения f-f оболочки и ко - допантом. Важность решения поставленной проблемы состоит в определении управляющего параметра (концентрации изоэлектронных ловушек- активаторов излучения) в данном процессе с целью увеличения квантового выхода излучения, в том числе и внутри центровых f-f переходов РЗИ. В результате будет определена корреляция между различными параметрами легированных РЗИ широкозонных полупроводников, наноструктур на их основе и механизмами миграции возбуждения, что позволит на основании новых знаний получить лазерный эффект.