| Название: | Стационарный и высокочастотный дырочный транспорт в двумерных системах на основе германия и кремния |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-205 Нано- и микроструктуры 02-210 Низкие температуры и сверхпроводимость 02-450 Физическая акустика |
| Ключевые слова: | низкоразмерные структуры, квантовый эффект Холла, акустоэлектронные эффекты, переход металл-диэлектрик |
| Время действия проекта: | 2008-2010 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Дричко,ИЛ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 08-02-00852 |
| Финансирование 2008 г.: | 500000 |
| Исполнители: |
Гальперин,ЮМ: сектор физической кинетики и электроакустических явлений (Бельтюкова,ЯМ)
Дьяконов,АМ: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
Лебедева,ЕВ: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Смирнов,ИЮ : лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
|
Объектами исследования в этом проекте будут гетероструктуры p-Si/SiGe с двумерным каналом, расположенным в напряженном слое SiGe и p-Ge/GeSi с 2-мерным каналом, расположенным в напряженном чистом Ge. Гетероструктуры p-Si/SiGe с 2-мерным каналом в напряженном слое SiGe обладают весьма интересными и необычными свойствами. Однако, из анализа работ, проводившихся многими исследователями, выяснилось, что не только нет однозначности в экспериментах на разных образцах, но и те необычные эффекты, которые наблюдались на некоторых гетероструктурах p-Si/SiGe, не получили до сих пор однозначного объяснения. Здесь имеются в виду переход металл-изолятор, индуцированный магнитным полем, перпедикулярным плоскости канала, при числе заполнения nu=3/2 и переход металл-диэлектрик, происходящий в продольном магнитном поле, параллельном плоскости канала. В проекте планируется исследовать статическое сопротивление и высокочастотную проводимость в окрестности этих переходов в зависимости от магнитного поля, температуры и частоты с целью определения природы этих переходов. Высокочастотная проводимость будет определяться бесконтактными акустическими методами. Гетероструктура p-Ge/GeSi/Si с 2-мерным каналом, расположенным в напряженном чистом Ge, выращенная методом LEPECVD на подложке Si(001) с градиентным буферным слоем, является новым объектом, параметры которого еще недостаточно изучены. Основные параметры этого материала, такие как концентрация носителей заряда, их подвижность, эффективная масса, импульсное и квантовое времена релаксации, энергетическое время релаксации будут определяться бесконтактными акустическими методами.
