Название:	Терагерцовая спектроскопия легированных полупроводников и полупроводниковых наноструктур
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-205 Микроструктуры 02-202 Полупроводники 02-340 Спектроскопия
Ключевые слова:	спектроскопия, терагерцовое излучение, квантовые ямы, сверхреш етки, туннелирование, мелкие примесные центры, резонансные сос тояния, инверсия населенности
Время действия проекта:	2005-2007
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Андрианов,АВ
Подразделения:	лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Код проекта:	05-02-17770
Финансирование 2005 г.:	400000
Исполнители:	Глинский,ГФ: None Журавлев,ИС: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Захарьин,АО: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Зиновьев,НН: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Прокофьев,АА: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Сресели,ОМ: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Тараканов,ЮА : лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Гуревича,СА)

Комплексное спектроскопическое исследование излучательных пере ходов размерно-квантованных носителей между подзонами в многоп ериодных структурах туннельно-связанных квантовых ям (квантово -каскадных структурах), сверхрешетках, а также процессов излуч ательного захвата носителей заряда на мелкие примеси в объемны х полупроводниках и структурах с квантовыми ямами с участием р езонансных состояний примесных центров позволит установить усл овия генерации в таких системах спонтанного и стимулированного электромагнитного излучения терагерцового диапазона при элект ро- фотовозбуждении. Экспериментальные исследования будет соче таться с детальными теоретическими расчетами энергетического с пектра носителей заряда в системе туннельно-связанных квантовы х ям на основе соединений А3В5, времен жизни носителей заряда в различных квантовых состояниях, вероятностей излучательных м ежподзонных и междузонных переходов, а также будет моделироват ься поведение этих характеристик в зависимости от внешнего эле ктрического поля. Будут также проведены численные расчеты энер гетического спектра резонансных состояний мелких примесей в кв антовых ямах на основе соединений IV группы. Выполнение данног о цикла работ позволит определить оптимальный набор параметров структур с квантовыми ямами, сверхрешеток для построения на и х основе терагерцового лазера, работающего в области 1-10 ТГц, как с фиксированным спектром излучения, так и со спектром, пе рестраиваемым внешним электрическим полем. Кроме того, будут н айдены условия для создания относительно простых источников уз кополосного терагерцового излучения на основе внутрицентровых оптических переходов в мелких примесных центрах. Выполнение да нного проекта даст возможность установить новые закономерности в терагерцовой оптике полупроводников и низкоразмерных структ ур.