Название:	Поляризационная терагерцовая спектроскопия электронных излучательных переходов в полупроводниковых структурах
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники 02-205 Нано- и микроструктуры 02-340 Спектроскопия
Ключевые слова:	терагерцовое излучение, квантовые ямы, мелкие примесные центры, локализованные и резонансные состояния, размерное квантование
Время действия проекта:	2008-2010
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Андрианов,АВ
Подразделения:	лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Код проекта:	08-02-00162
Финансирование 2008 г.:	550000
Исполнители:	Алексеев,ПС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Глинский,ГФ: None Захарьин,АО: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Зиновьев,НН: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Прокофьев,АА: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Трухин,ВН: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Чернышев,СА : None

Целью проекта является комплексное исследование процессов, обуславливающих генерацию электромагнитного излучения терагерцового (ТГц) диапазона (0.1-10 ТГц) при релаксации возбужденного состояния электронной подсистемы в полупроводниковых кристаллах и низкоразмерных структурах, включающее спектральные измерения с анализом поляризации ТГц излучения и теоретическое моделирование излучательных процессов. Значительное внимание будет уделено изучению ТГц электролюминесценции, связанной с пробоем мелких примесных центров и обусловленной захватом неравновесных носителей заряда на ионизованные центры в кристаллах и структурах с квантовыми ямами. Исследования будут проводиться на структурах на основе твердых растворов AlGaInAsN и SiGe. В качестве модельного объекта будут исследоваться также кристаллы Ge, легированные мелкими примесями. Важное место при этом будет занимать исследование роли резонансных и локализованных состояний примеси в формировании ТГц излучения. Будет уделено внимание изучению влияния эффектов размерного квантования и встроенного механического напряжения. Анализ поляризационных характеристик ТГц излучения позволит идентифицировать тип оптических переходов и симметрию состояний, ответственных за излучение. Специальной целью проекта является исследование генерации ТГц излучения при межподзонной релаксации размерно-квантованных неравновесных носителей заряда, созданных в структурах электрической или оптической инжекцией. Выполнение проекта позволит установить новые закономерности в терагерцовой оптике полупроводников и низкоразмерных структур, заложит основы для построения относительно простых, эффективных излучателей ТГц диапазона и будет способствовать развитию элементной базы ТГц оптоэлектроники.