Название: | Разработка высоковольтных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния для экономичных импульсных преобразователей напряжения |
Грантодатель: | РФФИ |
Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
Ключевые слова: | диод Шоттки, pn-переход, карбид кремния, импульсный преобразователь |
Время действия проекта: | 2007-2008 |
Тип: | исследовательский |
Руководитель(и): | Иванов,ПА |
Подразделения: | |
Код проекта: | 07-02-13529 |
Финансирование 2007 г.: | 1550000 |
Исполнители: |
Ильинская,НД: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Коньков,ОИ: лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ) Потапов,АС: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ) Самсонова,ТП: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ) |