Название:	Разработка высоковольтных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния для экономичных импульсных преобразователей напряжения
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	диод Шоттки, pn-переход, карбид кремния, импульсный преобразователь
Время действия проекта:	2007-2008
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Иванов,ПА
Подразделения:	лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
Код проекта:	07-02-13529
Финансирование 2007 г.:	1550000
Исполнители:	Ильинская,НД: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Коньков,ОИ: лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ) Потапов,АС: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ) Самсонова,ТП: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)

Исследование и моделирование мощных ключевых элементов для преобразования электроэнергии на основе широкозонных полупроводников (РФФИ, 02-02-16496-а). Фундаментальные особенности биполярных ключевых элементов для преобразования электроэнергии на основе широкозонных полупроводников (РФФИ, 05-02-16541-а). Разработка методов повышения напряжения пробоя мощных высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния (Программа ОФН РАН "Новые принципы преобразования энергии в полупроводниковых структурах"; раздел "Преобразование энергии в мощных полупроводниковых приборах (силовая электроника)"