Название:	Самоорганизация молекул металлических и полупроводниковых квантовых точек
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	квантовые точки, самоорганизация, молекулярно-лучевая эпитаксия, арсенид галлия
Время действия проекта:	2008-2010
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Чалдышев,ВВ
Подразделения:	лаб. физики аморфных полупроводников (Голубева,ВГ)
Код проекта:	08-02-01215
Финансирование 2008 г.:	650000
Исполнители:	Байдакова,МВ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН) Берт,НА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН) Вуль,СП: лаб. физики аморфных полупроводников (Голубева,ВГ) Колесникова,АЛ: None Преображенский,ВВ: None Путято,МА: None Разумовский,ДА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН) Романов,АЕ: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Семягин,БР : None

В проекте предлагается впервые путем самоорганизации создать в кристаллической матрице арсенида галлия новые физические объекты - близкорасположенные пары (молекулы) квантовых точек полуметалла As и полупроводника InAs. Кристаллическая пленка GaAs, содержащая такие молекулы будет выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Самоорганизация полупроводниковых квантовых точек InAs будет произведена на поверхности слоя GaAs по механизму Странского-Крастанова с последующим заращиванием слоем GaAs. Самоорганизация металлических квантовых точек As будет произведена путем двумерной преципитации в объеме пересыщенного кристаллического твердого раствора GaAs-As, получаемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (около 200 С) температуре. При этом один из заращенных слоев квантовых точек InAs используется в качестве прекурсора для преципитации. Ожидается, что предлагаемый подход позволит впервые получить строго коррелированные пары (молекулы) квантовых точек полуметалла As и полупроводника InAs в кристаллической матрице GaAs. Экспериментально и теоретически будут исследованы фундаментальные основы и закономерности предлагаемого нового подхода к самоорганизации гибридных молекул металлических и полупроводниковых квантовых точек, а также атомная структура и физические свойства таких объектов.