Название: | Самоорганизация молекул металлических и полупроводниковых квантовых точек |
Грантодатель: | РФФИ |
Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
Ключевые слова: | квантовые точки, самоорганизация, молекулярно-лучевая эпитаксия, арсенид галлия |
Время действия проекта: | 2008-2010 |
Тип: | исследовательский |
Руководитель(и): | Чалдышев,ВВ |
Подразделения: | |
Код проекта: | 08-02-01215 |
Финансирование 2008 г.: | 650000 |
Исполнители: |
Байдакова,МВ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Берт,НА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Вуль,СП: лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
Колесникова,АЛ
Преображенский,ВВ
Путято,МА
Разумовский,ДА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Романов,АЕ: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ)
Семягин,БР
|
В проекте предлагается впервые путем самоорганизации создать в кристаллической матрице арсенида галлия новые физические объекты - близкорасположенные пары (молекулы) квантовых точек полуметалла As и полупроводника InAs. Кристаллическая пленка GaAs, содержащая такие молекулы будет выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Самоорганизация полупроводниковых квантовых точек InAs будет произведена на поверхности слоя GaAs по механизму Странского-Крастанова с последующим заращиванием слоем GaAs. Самоорганизация металлических квантовых точек As будет произведена путем двумерной преципитации в объеме пересыщенного кристаллического твердого раствора GaAs-As, получаемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (около 200 С) температуре. При этом один из заращенных слоев квантовых точек InAs используется в качестве прекурсора для преципитации. Ожидается, что предлагаемый подход позволит впервые получить строго коррелированные пары (молекулы) квантовых точек полуметалла As и полупроводника InAs в кристаллической матрице GaAs. Экспериментально и теоретически будут исследованы фундаментальные основы и закономерности предлагаемого нового подхода к самоорганизации гибридных молекул металлических и полупроводниковых квантовых точек, а также атомная структура и физические свойства таких объектов.