Название:	Физические принципы снижения плотности дислокаций в гетероструктурах на основе нитрида галлия
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-202 Полупроводники 02-205 Микроструктуры 02-212 Образование и структура кристаллов
Ключевые слова:	ростовые дислокации, полупроводники, гетероструктуры, тонкие пленки, нитрид галлия
Время действия проекта:	2005-2006
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Константинов,ОВ
Подразделения:	сектор теории твердого тела (Романова,АЕ)
Код проекта:	05-02-17781
Финансирование 2005 г.:	250000
Исполнители:	Алексеев,ПС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Бугров,ВЕ: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Ильюшенков,ДС Орлов,ДЮ Романов,АЕ: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Тараканов,ЮА : лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Маркова,ЛК)

Проект направлен на изучение физических механизмов, лежащих в основе формирования и эволюции ростовых дислокаций в эпитаксиальных гетероструктурах гексагональных материалов на примере нитрида галлия. Достижение пониженной плотности ростовых дислокаций при эпитаксиальном росте пленок нитрида галлия на подложках, рассогласованных с ним по параметру решетки, является важнейшей научно-технологической задачей, решение которой требует изучения фундаментальных механизмов зарождения и эволюции дислокаций в таких гетероструктурах. В проекте предполагается построение физической модели образования ростовых дислокаций в растущих островковых пленках; проведение расчета энергетического фактора ростовых дислокаций в пленках нитрида галлия с учетом их взаимодействия с поверхностью пленки или гранями островков; теоретический анализ возможности междислокационных реакций, приводящих к уменьшению плотности дислокаций. Конечная цель проекта заключается в создании модели, описывающей эволюцию плотности ростовых дислокаций по мере роста островковой пленки с выраженным поверхностным рельефом и разработка на основе этой модели рекомендаций для достижения эффективного снижения плотности ростовых дислокаций в пленках полупроводниковых материалов с гексагональной структурой.