| Название: | Создание и исследование 2D зарядовых аккумуляционных слоев и регулярных наноструктур с металлической проводимостью на поверхности III- нитридов |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки |
| Ключевые слова: | полупроводники, III-нитриды, поверхность, наноструктуры, электронные свойства, адсорбция, границы раздела, аккумуляционный слой, фазовые переходы, фотоэмиссионная спектроскопия |
| Время действия проекта: | 2007-2009 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Бенеманская,ГВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 07-02-00510 |
| Финансирование 2007 г.: | 400000 |
| Исполнители: |
Вихнин,ВС: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
Дунаевский,МС: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Крыжановский,АК: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Лапушкин,МН: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР)
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Тимошнев,СН : лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
|
Фундаментальные проблемы физики поверхности III-нитридов, такие как природа 2D электронного спектра, механизмы формирования аккумуляционых зарядовых слоев, модификация свойств поверхности при формировании интерфейсов, механизмы 2D фазовых переходов, корреляция электронных и структурных свойств, создание наноструктур являются одновременно как наименее изученными, так и особенно актуальными при современном развитии наноэлектроники. Заявленные в проекте исследования опираются на новые эффекты, которые недавно были обнаружены авторами проекта для поверхности GaN(0001) n-типа при адсорбции металлов. Впервые в мировой практике на свободной поверхности полупроводника созданы двумерные электронные каналы (аккумуляционные слои) с управляемыми параметрами (патент РФ N2249877, 2005г.). Кроме того, в самое последнее время в результате многослойной коадсорбции металлов на поверхности n-GaN удалось создать регулярные наноструктуры нового типа (наносоты) с уникальными электронными и фотоэмиссионными свойствами. Проект посвящен созданию, исследованию и установлению природы поверхностных аккумуляционных слоев, ультратонких поверхностных покрытий, 2D наноструктур, сформированных в результате адсорбции и коадсорбции металлов (K, Cs, Ba) на поверхности III-нитридов - n-GaN(0001), n-AlN(0001), InGaN, GaAlN. Будут исследованы структурные, электронные и фотоэмиссионные свойства для определения природы локальных взаимодействий, эффектов самоорганизации наноструктур, 2D фазовых переходов, а также для целенаправленной модификации электронных свойств поверхностей с различной атомной структурой. В проекте атомный уровень исследований достигается выбором методик исследования в сверхвысоком вакууме и использованием адсорбции и коадсорбции металлов. Получение приоритетных результатов обусловлено также использованием оригинальных фотоэмиссионных методик с использованием линейно и циркулярно-поляризованного возбуждения в сочетании с широко используемыми современными методами атомного разрешения АСМ, СТМ, ТЕМ, ДМЭ, электронная микроскопия. Планируемые экспериментальные и теоретические исследования будут проведены впервые в мировой практике.
