| Название: | Исследования оптической поляризации In(Ga)As/GaAs самоорганизующихся сверхрешеток квантовых точек |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники; 02-205 Нано- и микроструктуры. |
| Ключевые слова: | квантовые точки, сверхрешетки, А3В5, полупроводники, оптическая поляризация, анизотропия, электролюминесценции, поглощение1.5. Аннотация: При формировании сверхрешеток квантовых точек (СРКТ), проявляющих эф |
| Время действия проекта: | 2012-2014 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Соболев,ММ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 12-02-00388 |
| Финансирование 2012 г.: | 50000 |
| Исполнители: |
Бакшаев,ИО: лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
Буяло,МС: лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
Гаджиев,ИМ: лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
Задиранов,ЮМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Золотарева,РВ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Неведомский,ВН: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Цырлин,ГЭ : None
|
При формировании сверхрешеток квантовых точек (СРКТ), проявляющих эффект Ваннье-Штарка, должна происходить существенная модификации поляризационно-оптических свойств. Предлагается на основе обнаруженного эффекта вовлечения основных состояний тяжелых дырок СРКТ в оптические переходы света, поляризованного как в плоскости перпендикулярной оси роста (x-y), так и вдоль направления роста структуры (z), провести исследования по выявлению оптической поляризационной изотропии в СРКТ. Основными задачами проекта являются экспериментальное изучение электрических и оптических свойств, условий, характеристик и параметров многослойного массива КТ, получаемых за счет самоорганизации полупроводниковых гетерогетероструктур In(Ga)As/GaAs, при которых происходит образование СРКТ с оптической поляризационной анизотропией/изотропией электролюминесценции (EL) и поглощения. Одной из основных целей проекта является изучение влияния поперечного ограничения и симметрии сверхрешетки на оптическую поляризационную анизотропию и модификацию спектров поглощения и излучения света в зависимости от высоты СРКТ. Эта величина связывается с z - компонентой волновой функции основных состояний тяжелых дырок для СРКТ. Кроме того, целью проекта является выявление природы и пространственной симметрии волновых функций основных состояний дырок, вовлеченных в оптические переходы СРКТ с модами поляризации в плоскостях перпендикулярной оси роста и вдоль направления роста структуры. Будут проведены исследования оптических переходов с участием минизон СРКТ и лестницы Ваннье-Штарка для различных направлений поляризованного света и величины электрического поля. Определенное внимание будет уделено также исследованиям механизмов, ответственных за эффект Ваннье-Штарка в спектрах тепловой эмиссии, позволяющих определять раздельное поведение электронов и дырок в p-n-структурах СРКТ. Проявление эффекта Ваннье-Штарка для исследуемых структур с многослойным массивом КТ In(Ga)As/GaAs позволит сделать вывод о том, что структура является сверхрешеткой. Экспериментальные результаты будут использованы для оптимизации системы, образующей In(Ga)As/GaAs СРКТ с оптической поляризационной изотропией.
