Название:Электронные реконструкции на когерентной межфазной границе, разделяющей слой манганита и монокристалл полярного сегнетоэлектрика
Грантодатель:РФФИ
Область знаний:02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Ключевые слова:Гетероструктура, наноразмерный манганит, квазидвухмерный электронный газ, диффузионный обмен
Время действия проекта:2011-2013
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Бойков,ЮА
Подразделения:
Код проекта:11-02-00609
Финансирование 2011 г.:500000
Исполнители: Волков,МП: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Данилов,ВА: лаб. физики термоэлементов (Буркова,АТ)
Исаченко,ГН: лаб. физики термоэлементов (Буркова,АТ)
Пронин,ИП: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
Самунин,АЮ: лаб. физики термоэлементов (Буркова,АТ)
Сенкевич,СВ: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
Шабалдин,АА : лаб. физики термоэлементов (Буркова,АТ)
Проект направлен на решение фундаментальной задачи - установление механизмов, ответственных за зарядовое состояние наноразмерной прослойки на межфазной границе, разделяющей два перовскито-подобных оксида в гетероструктуре манганит/полярный сегнетоэлектрик. Решение указанной задачи принципиально важно для создания управляемых электрическим и магнитным полем элементов оксидной электроники. Основными объектами исследований являются тонкие, сплошные слои LaMnO_3 c эффективной толщиной 0.4 - 4.0 nm , выращенные эпитаксиально на (001) или (110) ориентированных подложках SrTiO_3. Пленки будут сформированы методом лазерного испарения (KrF, длина волны 248 nm) при различном (10^(-2) - 10^(-5) mbar ) давлении кислорода. Особое внимание будет уделено контролю за концентрацией ионов La в приповерхностном (толщиной в одну две элементарные ячейки) слое подложки и за концентрацией ионов Sr в манганитной пленке. Контроль за диффузионным обменом между манганитным слоем и подложкой будет осуществляться с использованием Метода Рассеяния Ионов Средних Энергий (энергия ионов Не^(+) порядка 100 keV). Будет исследована зависимость проводимости и емкости межфазной границы в гетероструктуре LaMnO_3/SrTiO_3 от давления кислорода в ростовой камере, от микроструктуры, от напряженности магнитного и электрического полей.