Название:	Антиферромагнитное и ферромагнитное упорядочение примесных спинов в немагнитных полупроводниках вблизи фазового перехода изолятор–металл
Грантодатель:	РФФИ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники; 02-208 Магнитные явления; 02-210 Низкие температуры и сверхпроводимость
Ключевые слова:	полупроводники, спиновые взаимодействия, магнитная восприимчивость, электронный низкотемпературный транспорт, электронный парамагнитный резонанс, фазовый переход изолятор - металл
Время действия проекта:	2013-2015
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Забродский,АГ
Подразделения:	лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
Код проекта:	13-02-00360
Финансирование 2013 г.:	750000
Исполнители:	Вейнгер,АИ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Голощапов,СИ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА) Ионов,ЛН: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Кислицын,ОО: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Королева,НА: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Кочман,ИВ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Семенихин,ПВ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Тиснек,ТВ : лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)

Проект направлен на изучение обнаруженного при выполнении предшествующего проекта РФФИ фундаментального явления, возникающего при взаимодействии электронных спинов в полупроводниках в области фазового перехода изолятор–металл (ИМ) и состоящего в появлении либо антиферромагнитного, либо ферромагнитного упорядочения спинов. Иногда на одних и тех же образцах удается наблюдать смену одного типа упорядочения на другой при изменении температуры. Будут решены методические вопросы экспериментального исследования указанного явления: точное определение магнитной восприимчивости в проводящих материалах с помощью ЭПР с учетом искажения линии резонансного поглощения и скин - эффекта; измерение малой парамагнитной восприимчивости на фоне большой диама гнитной восприимчивости решетки полупроводника с по мощью СКВИД-методики; получение серии компенсированных сильно легированных образцов Si:P для наблюдения указанного эффекта. Будет экспериментально исследован фазовый переход антиферромагнетик–ферромагнетик в области перехода ИМ в зависимости от концентрации примесных центров, их компенсации, а также энергии связи примесного электрона и температуры образцов. Будет измерена величина возникающего при этом фазовом переходе внутреннего магнитного поля с помощью специально разработанной методики.