Название:	Участие в 8-ой Международной конференции пористые полупроводники - наука и технология (1 постер, 1 устный)
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - физика и астрономия
Научная дисциплина:	02-205 Нано- и микроструктуры 02-202 Полупроводники
Время действия проекта:	2012
Тип:	конференционный
Руководитель(и):	Жарова,ЮА
Подразделения:	лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
Код проекта:	12-02-09218
Финансирование 2012 г.:

Пористый кремний (pSi) впервые был изготовлен в пятидесятые годы и до 1990 года считался главным образом материалом электроники. В 1990 году профессор Кэнам (Великобритания) опубликовал свои результаты по люминесценции пористого кремния, что было объяснено с точки зрения квантования носителей в кремниевых нанокристаллах, которые присутствуют в стенках пор. С тех пор интерес исследователей и технологов к этому материалу (и другим пористым полупроводникам) постоянно растет, и количество публикаций, посвященных этому классу материалов достигает 400-500 в год. В 1996 году была организована Международная конференция "Пористые полупроводники - наука и технология" ("Porous semiconductors - science and technology" - PSST) полностью посвященная пористому кремнию и другим пористым полупроводникам. Конференция имеет заслуги за ее высокий научный уровень. Количество участников и их географическое происхождение постоянно увеличивается. В 2012 году на конференции выступило 300 участниковНа конференции были представлены доклады посвященные технологии структурирования полупроводников, разные технологические возможности, создание различных устройств на основе полупроводников. Были продемонтсрированы перспективы полупроводниковых технологий и устройств. представлены два доклада: устный и постер.