Название:	Лазерные диоды с интегральными элементами спектральной селекции оптических мод
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	Фондов, имеющихся у коллектива и соответствующих выбранной теме 10-02-93112-НЦНИЛ_а "Фотонные приборы на основе квантовых точек InAs/GaAs ближнего инфракрасного диапазона"; 09-02-91340-ННИО_а "Разработка и исследование полупроводниковых лазеров на основ
Ключевые слова:	торцевые инжекционные лазеры, оптические моды, лазерный спектр
Время действия проекта:	2013-2015
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Гордеев,НЮ
Подразделения:	лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Код проекта:	13-02-12184
Финансирование 2013 г.:
Исполнители:	Вашанова,КА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Ильинская,НД: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Кулагина,ММ: лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Маркова,ЛК) Мухин,ИС: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН) Надточий,АМ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Паюсов,АС: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Симчук,ОИ Шерняков,ЮМ : лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)

Проект направлен на решение фундаментальных проблем управления модовым составом излучения полупроводниковых инжекционных лазеров. Основной задачей проекта в рамках указанной проблемы является развитие теоретического описания и экспериментальных методов создания торцевых инжекционных лазеров с интегрированными в оптический резонатор элементами, обладающими спектрально-селективными потерями, позволяющими модифицировать продольные и поперечные оптические моды. В проекте предполагается развить метод управления модовым составом излучения за счет создания локальных возмущений эффективного показателя преломления, представляющих собой небольшое количество поперечных штрихов (канавок), расположенных вдоль лазерного резонатора. Метод открывает интересную возможность уменьшать оптические потери для групп мод Фабри-Перо. Он может быть реализован экспериментально в лазерах любого спектрального диапазона. В проекте предполагается исследовать лазеры на InGaAs квантовых ямах, излучающие в диапазоне 1 мкм, и лазеры на InAs квантовых точках, излучающие на 1.3 мкм. При создании лазеров предполагается использование методов эпитаксиального роста (молекулярно-пучковая эпитаксия и эпитаксия из металло-органических соединений), а также постростовой обработки: методов фотолитографии и электронной литографии, прецизионного травления, нанесения просветляющих и отражающих диэлектрических покрытий. Решение задачи позволит получать лазерные диоды с улучшенными параметрами выходного пучка, оптической мощности и спектра, которые могут найти применение в системах накачки и системах обработки материалов.