| Название: | Разработка технологии наноструктурированных материалов на основе нитрида галлия и карбида кремния для создания элементной базы нано-, биомедицинских и мембранных устройств нового поколения |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 08 |
| Ключевые слова: | нанотехнологии, наноструктурирование, наноматериалы, наноструюурированные полупроводники, нитрид галлия, карбид кремния, электрохимические методы, модификация свойств, внешние воздействия. |
| Время действия проекта: | 2013-2014 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Мынбаева,МГ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 13-08-00809 |
| Финансирование 2013 г.: | 450000 |
| Исполнители: |
Головатенко,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Лаврентьев,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Лебедев,СП: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Николаев,ВИ: лаб. физики профилированных кристаллов (Николаева,ВИ)
Сапега,ФВ: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
|
Создание новых поколений наноматериалов с использованием подходов самоорганизации имеет несомненные перспективы как универсальный и естественный путь развития нанотехнологий в применении к современным потребностям науки и техники. В настоящее время интенсивно развиваются различные методы самоорганизованного формирования наноструктур на основе полупроводниковых (ПП) материалов. В частности, электрохимические методы позволяют формировать пространственно-упорядоченные (пористые) структуры с характеристическим размером элементов в диапазоне 40-200 нм. Одним из наиболее изученных пористых ПП материалов остается пористый кремний, который, в настоящее время, уже применяется в современных сенсорных и мембранных устройствах, в наноэлектронике, фотонике, в биоинженерии. Технология получения пористых материалов на основе бинарных полупроводниковых соединений все еще находится в стадии становления. В рамках настоящего проекта планируется провести углубленное изучение свойств, механизмов формирования и основных закономерностей влияния внешних факторов на структуру и физико-химические свойства наноструктурных (пористых) материалов, полученных методом анодизации на основе бинарных полупроводниковых соединений GaN и SiC. В результате решения фундаментальной задачи, поставленной в рамках настоящего проекта, будет достигнут новый уровень понимания взаимосвязи параметров процесса анодизации бинарных полупроводниковых материалов с характеристикам и получаемых субструктур и эволюции их свойств при приложении к ним внешних воздействий. Будут определены термодинамические границы стабильности полупроводниковых наноструктур. Прикладным аспектом выполнения проекта будет разработка методов создания наноструктурированных материалов на основе GaN и SiC с различными функциональными свойствами, перспективных для применений в нано-, биомедицинских и мембранных устройствах нового поколения.
