Название:	Квазиподложки нитрида галлия для ультрафиолетовой оптоэлектроники: концепция эпитаксии на кремнии, свойства слоев и применение в светодиодах
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники, 03-630 Фундаментальные основы создания новых металлических, керамических и композиционных материалов
Ключевые слова:	нитрид галлия, гетероэпитаксия, широкозонные полупроводники, подложки для светодиодов
Время действия проекта:	2013-2015
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Бессолов,ВН
Подразделения:	лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Код проекта:	13-08-00074
Финансирование 2013 г.:	999000
Исполнители:	Виноградова,КА: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Головатенко,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Калинина,МГ Коненкова,ЕВ Родин,СН Сапега,ФВ: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП) Середова,НВ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Спивакова,ДС Шарофидинов,ШШ : лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)

Проект направлен на разработку концепции и технологии квазиподложек нитрида галлия, для мощных светодиодов ультрафиолетового диапазона излучения, изучению структурных, электрических и люминесцентных свойств квазиподложек. В основу концепции положена идея роста толстых нитридных слоев на комбинированной, профилированной подложке кремния с последующим ее удалением. Комбинированная конфигурация кремниевой пластины ориентации (111) формировалась методом твердофазной эпитаксии буферной пленки 3C-SiC, через фотолитографическую маску в виде дисков, а пластину кремния профилируют до мембранной толщины (т.е. до толщин меньших планируемой толщины слоя нитрида галлия. Основной задачей проекта являются разработка хлоридной газофазной технологии толстых (> 100 мкм) эпитаксиальных слоев нитрида галлия на кремниевой пластинке с последующим ее удалением, изучение структурных, электрических и люминесцентных свойств квазиподложек нитрида галлия размером до 3 дюймов для целей ультрафиолетовой оптоэлектроники.