| Название: | Оптоэлектронные приборы на основе таммовских плазмонов |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Научная дисциплина: | 02-330 Физика лазеров |
| Ключевые слова: | лазер, полупроводниковая гетероструктура, плазмон, таммовский плазмон |
| Время действия проекта: | 2014 - 201 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Брунков,ПН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 14-02-00679 |
| Финансирование 2014 г.: | 700000 |
| Исполнители: |
Егоров,АЮ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Иванов,КА
Ильинская,НД: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Калитеевский,МА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Кириленко,ДА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Лазаренко,АА
Пирогов,ЕВ
Соболев,МС
|
Таммовские плазмоны - состояния электромагнитного поля локализованные на границе брэгговского отражателя и микрорезонатора [PRB 76, 165415 (2007)], [APL 92 251112 (2008)] интенсивно исследуются в последние 5 лет. В последние два года экспериментально продемонстрированы прототипы различных оптоэлектронных устройств на основе таммовских плазмонов, таких, как полупроводниковых лазеры, работающие при низкой температуре и оптической накачке [APL 100, 121122 (2012)], лазерные структуры с органической активной область, работающие при комнатной температуре оптической накачке [Nature photonics 6 322 (2012)]] и источники одиночных фотонов [APL 100, 232111 (2012)]. Данный проект направлен на создание новых типов лазеров и других оптоэлектроных устройств на основе таммовских плазмонов. Таммовские плазмоны могут быть использованы для локализации света в латеральном направлении без осущесвления травления полупроводниковй структуры, просто путем нанесения металлического слоя на поверхность структуры. Другой интересной особенностью структур с таммовскими плазмонами является возможность подавления поглощения света металлическими слоями в структуре, создания такой пространственной структуры собственной моды лазера, при которой металлическому элементу соответствует узел электрического поля. В рамках проекта планируется разработать методы конструирования и моделирования наногетероструктур для оптоэлектроники на основе таммовских плазмонов, разработать технологию их изготовления, изготовить и исследовать прототипы оптоэлектронных устройств. Будут изготовлены и исследованы следующие приборы: вертикальные лазеры с металлическими слоями на поверхности, или примыкающие к активной области, работающие при электрической накачке; лазеры с латеральным направлением генерации; лазеры с распределенной обратной связью, осуществляемой периодической металлической решеткой на поверхности структуры; генераторы поверхностных плазмонов, основанные на связи таммовских и поверхностных плазмонов. Кроме этого, планируется исследование ряда фундаментальных проблем, например возникновения макроскопической оптической когерентности в структурах с таммовскими плазионами, и фотонной зонной структуры, индуцированной нанесением периодического (или более сложного) металлического рисунка на поверхность структуры.
