| Название: | Исследование возможности расширения спектрального диапазона спонтанных и когерентных источников излучения на основе наногетероструктур А2В6 в желтую и желто -красную области видимого спектра |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Научная дисциплина: | 02-205 Нано- и микроструктуры |
| Ключевые слова: | молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводниковые наногетероструктуры А2В6, желтый спектральный диапазон, светодиоды, лазеры, дислокации, квантовые точки, квантовые ямы, сверхрешетки, эффект сегрегации, упругие напряжения, критическая толщина |
| Время действия проекта: | 2014 - 201 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Иванов,СВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 14-02-01226 |
| Финансирование 2014 г.: | 850000,00 |
| Исполнители: |
Гронин,СВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Европейцев,ЕА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Климко,ГВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Мельцер,БЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Рахлин,МВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Ситникова,АА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Сорокин,СВ: None
Усикова,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
|
В рамках данного проекта предполагается установить совокупность физических и технологических факторов, позволяющих расширить спектральный диапазон источников спонтанного и когерентного излучения на основе широкозонных гетероструктур А2В6 в желтую (570-590 нм) и желто-красную (590-630 нм) части видимого спектра, а также разработать физические подходы и технологический метод молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), позволяющие реализовать высокоэффективные источники света в данном спектральном диапазоне. В ходе выполнения проекта будут решаться следующие фундаментальные задачи: - теоретически оценены и экспериментально проверены максимально достижимые длины волн излучения в системе квантовых точек (КТ) CdSe в матрице ZnCdSe, с учетом ограничений, накладываемых как критической толщиной формирования оптически активных КТ, так и критической толщиной пластической релаксации для структуры в целом; - экспериментально и теоретически изучены процессы формирования активной области на основе КТ Cd Se в напряженной квантовой яме (КЯ) ZnCdSe в процессе МПЭ, в том числе с учетом возможных эффектов сегрегации Cd при формировании КТ в матрице ZnCdSe с высоким содержанием Cd; - разработаны комплексы оригинальных технологических подходов в рамках МПЭ и конструктивных решений, позволяющие преодолеть ограничения критической толщины, для формирования гетероструктур с КТ (Zn)CdSe, излучающих в желтом и желто-красном диапазонах длин волн; - исследована взаимосвязь различных условий эпитаксиального роста и способов формирования активной области с величиной внутреннего квантового выхода гетероструктур с КТ CdSe/ZnCdSe, излучающих в желтом и желто-красном диапазонах; - разработаны подходы, направленные на снижение плотности неравновесных точечных дефектов при низкотемпературном росте гетероструктур с КТ CdSe/ZnCdSe; - разработаны и реализованы конструктивные и технологические подходы по созданию эффективных источников когерентного излучения (лазерных конвертеров, лазеров с электронно -лучевой накачкой) в исследуемых диапазонах спектра на основе наногетероструктур А2В6, решеточно согласованных с GaAs. Результаты исследований будут опубликованы в ведущих международных и отечественных научных журналах и представлены на основных крупнейших международных и российских конференциях по МПЭ, соединениям А2В6 и физике полупроводников.
