| Название: | Фундаментальные проблемы создания солнечных элементов на основе InGaN |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Ключевые слова: | нитрид индия, твердые растворы InGaN, металлические нанокластеры, фазовый распад, эффект Холла, электрические свойства, молекулярно-пучковая эпитаксия, электрооптические свойства |
| Время действия проекта: | 2013 - 201 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Комиссарова,ТА |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 13-02-00735 |
| Финансирование 2013 г.: | 1100000 |
| Исполнители: |
Беляев,КГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Будза,АА
Жмерик,ВН: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Кайбышев,ВХ
Лебедев,АВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Нечаев,ДВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Терентьев,ЯВ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
|
Проект направлен на исследование фундаментальных электрических и электрооптических свойств твердых растворов InGaN - материалов, перспективных для создания солнечных элементов полного солнечного спектра. В рамках проекта будут проведены измерения эффекта Холла и удельного сопротивления в сильных магнитных полях (до 63 Тл) для нелегированных и легированных Mg эпитаксиальных слоев InN и In_Ga_{1-x}N, выращенных разными методами в различных условиях Будет проведено сравнение транспортных параметров носителей заряда в полупроводниковой матрице InN, в объемном и поверхностном слоях матрицы InN различных слоев InN с целью установления факторов, ответственных за высокую остаточную концентрацию электронов в нелегированных слоях, формулирования оптимальных условий получения слоев InN с минимальной концентрацией электронов, выяснения основных проблем, возникающих про попытках получить p -тип проводимости в пленках InN:Mg и In_Ga_{1- x}N:Mg (x>0.2) и определения путей их решения. Будет проведено исследование эффекта Зеебека в эпитаксиальных слоях InN, InN:Mg, In_Ga_{1-x}N (0<=x<=1) и In_Ga_{1-x}N:Mg для того, чтобы определить основные электрофизические процессы определяющие знак и величину данного эффекта в исследуемых сложных композитных материалах. Будет исследовано влияние эффектов фазового распада твердых растворов In_Ga_{1-x}N (x>0.2) на транспорт носителей заряда. Будут измерены спектры фотоотклика эпитаксиальных слоев и структур на основе In_Ga_{1-x}N (0<=x<=1) для определения границ спектральной области, в которой возможно создание солнечных элементов на основе этих материалов. На основе полученных результатов будет дана оценка возможности создания на основе InGaN солнечных элементов.
