Название:	AlGaN гетероструктуры для электроники и оптоэлектроники УФ диапазона: эпитаксия и исследование свойств
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02
Научная дисциплина:	02-212 Образование и структура кристаллов
Ключевые слова:	Нитрид галлия, нитрид алюминия, газофазная эпитаксия, сверхрешетки
Время действия проекта:	2013-2015
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Лундин,ВВ
Подразделения:	лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Код проекта:	13-02-00804
Финансирование 2013 г.:	1000000
Исполнители:	Давыдов,ВЮ: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН) Заварин,ЕЕ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ) Николаев,АЕ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Сахаров,АВ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ) Смирнов,АН: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН) Усов,СО: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ) Яговкина,МА : лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)

Проект направлен на исследование физических свойств и методов создания различных гетероструктур на основе соединений AlGaN, в том числе сверхрешеток для использования в электронных и светоизлучающих приборах Несмотря на значительный прогресс в разработке технологии Ш-N соединений, позволивший создать эффективные источники света видимого диапазона и электронные структуры, существует большое количество проблем в синтезе твердых растворов AlGaN и гетероструктур на их основе, что ограничивает эффективность излучения в УФ диапазоне. В ходе реализации проекта предполагается: - исследовать режимы роста AlGaN во всем диапазоне составов с целью получения информации о взаимосвязи условий роста и структурного совершенства материала и нахождения оптимальных режимов эпитаксии; - исследовать возможность создания короткопериодных сверхрешеток AlN/(Al)GaN с целью замены твердых растворов AlGaN с содержанием алюминия 30-70%; - исследовать влияние дизайна сверхрешеток AlN/(Al)GaN (толщин слоев, профилей легирования) на их свойства.