| Название: | МОС-гидридная эпитаксия Ш-N материалов в экстремальных условиях Исследование процесса роста и свойств выращенных структур. |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Научная дисциплина: | 02-204 Поверхность и тонкие пленки, 02-212 Образование и структура кристаллов |
| Ключевые слова: | нитриды, МОС-гидридная эпитаксия, оптоэлектроника, наноструктуры |
| Время действия проекта: | 2014 -2015 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Сахаров,АВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 14-02-00488 |
| Финансирование 2014 г.: | 1000000 |
| Исполнители: |
Брунков,ПН: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Заварин,ЕЕ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Лундин,ВВ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Николаев,АЕ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Рожавская,ММ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Трошков,СИ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Усов,СО: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Цацульников,АФ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Яговкина,МА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
|
Проект направлен на изучение процесса МОС-гидридной эпитаксии Ш-N материалов в перспективных, но практически не исследованных диапазонах режимов роста и исследование свойств выращенных структур. Несмотря на высокий уровень развития технологии МОС-гидридной эпитаксии Ш-N материалов, диапазоны реально используемых режимов роста весьма узки. Большой интерес представляет существенное увеличение скорости роста и повышение давления в реакторе выше атмосферного. На пути решения первой задачи лежит ряд фундаментальных проблем, связанных как с процессами, протекающими в газовой фазе, так и с быстрым синтезом материала на поверхности. Ее решение будет основано на большом заделе в изучении факторов, лимитирующих достижимые скорости роста и умении управлять степенью неравновесности процесса синтеза GaN и AlGaN. В проекте предложены новые методы решения проблемы, показана их реализуемость. Актуальность второй задачи следует из систематического улучшения ряда характеристик III-N структур при повышении давления в реакторе, однако область выше атмосферного давления практически не изучена. Данные исследования будут производиться на уникальной МОС-гидридной установке отечественной разработки, позволяющей осуществлять эпитаксиальный рост в диапазоне давлений до 1.6 атм. Будет изучаться влияние давления и скорости роста на кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев, вхождение примесей, микро - и наноструктуру материала, его физические свойства.
