Название:	Исследование фотоэлектрических гетероструктур на основе GaSb и InP.
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08
Научная дисциплина:	02-205 Нано- и микроструктуры
Ключевые слова:	антимонид галлия, фосфид индия, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи, жидкофазная эпитаксия
Время действия проекта:	2013-2015
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Потапович,НС
Подразделения:	лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Код проекта:	13-08-00958
Финансирование 2013 г.:	1000000
Исполнители:	Власов,АС: None Зарин,МА: None Малевская,АВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Марухина,ЕП: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Аронова,ЕС: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Сорокина,СВ: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Хвостикова,ОА : лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)

В рамках проекта предполагается разработать и исследовать фотоэлектрические преобразователи (приемники) рассчитанные, в первую очередь, на применение в термофотоэлектрических системах. Разработанные фотоэлектрические структуры могут применяться так же в механически стыкованных фотоэлементах или в системах со спектральным разделением солнечного потока. Предполагается проведение исследований эпитаксиальных слоев и структур на основе антимонида галлия и фосфида индия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Результатом Проекта должно стать создание высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия и фосфида индия. Выработанные предложения и рекомендации по оптимизации параметров таких полупроводниковых гетероструктур должны в дальнейшем помочь в создании конкурентоспособных и эффективных термофотоэлектрических генераторов и систем со спектральным разделением солнечного потока.