| Название: | Широкозонные полупроводники SiC, GaN, AlN: рост, легирование, микроволново-оптическая диагностика |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники, 02-208 Магнитные явления |
| Ключевые слова: | SiC, GaN, AlN, широкозонные полупроводники, рост, легирование, электронный парамагнитный резонанс, оптически детектируемый магнитный резонанс |
| Время действия проекта: | 2013 - 201 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Мохов,ЕН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 13-02-00802 |
| Финансирование 2013 г.: | 800000 |
| Исполнители: |
Асатрян,ГР: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Бадалян,АГ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Баранов,ПГ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Ильин,ИВ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Крамущенко,ДД: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Успенская,ЮА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Храмцов,ВА : лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
|
Проект предполагает проведение исследований наиболее перспективных широкозонных полупроводниковых материалов, нитридов III группы и карбида кремния, наноструктур и твердых растворов на их основе и разработку оптимальных методов роста и легирования этих материалов. Предполагается выполнение цикла оптических, радиоспектроскопических и микроволново-оптических исследований доноров, акцепторов, точечных дефектов, оказывающих серьезное влияние на рост и свойства широкозонных полупроводников. Предполагается получение толстых эпитаксиальных слоев широкозонных полупроводников AlN/GaN и SiC, твердых растворов и наноструктур на их основе, как номинально чистых, так и легированных различными примесями. Рост будет осуществляться разработанным нами сублимационным сэндвич-методом, позволяющим растить высококачественные монокристаллы с высокими скоростями роста и проводить легирование различными примесями. Для диагностики и исследования полученных кристаллов будут использованы современные методы радиоспектроскопии и микроволново-оптической спектроскопии: электронный парамагнитный резонанс, оптически детектируемый магнитный резонанс и их модифиации, включая и развитые участниками проекта методики: спектроскопия антикроссинга уровней, многоквантовая ОДМР-спектроскопия, регистрация ЭПР по послесвечению и фотостимулированной люминесценции. Эти методы, обладая высокой информативностью радиоспектроскопии, имеют характерную для оптики высокую чувствительность и пространственную селективность. Они обеспечивают энергетическое разрешение вплоть до нано-эВ и являются наиболее прямыми методами исследования микроструктуры дефектов и возбуждений на электронном уровне, химической идентификации электрически и оптически активных примесей в объемных полупроводниках и наноструктурах. Полученные результаты будут использованы при разработке методов неразрушающего контроля свойств полупроводниковых кристаллов и наноструктур, а также методов локальной диагностики наличия дефектов структуры, примесей, влияющих на оптические, электрические и магнитные характеристики, спиновые свойства.
