| Название: | Синтез и исследование микро- и нано- нитиевидных кристаллов GaN на подложках A12O3 с использованием нанопленок титана методом МОГФЭ. |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Ключевые слова: | нитрид галлия, нитевидные нанокристаллы, МОГФЭ, самоорганизация, титановая нанопленка |
| Время действия проекта: | 2014 - 201 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Рожавская,ММ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 14-02-31756 |
| Финансирование 2014 г.: | 400000 |
| Исполнители: |
Вальковский,ГА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Вашанова,КА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Попов,МГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Усов,СО : лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
|
Предлагаемый проект направлен на развитие принципиально нового подхода к проблеме синтеза нитрид-галлиевых микро- и нанокристаллов (ННК) методом МОГФЭ, который заключается в использовании нанопленок титана толщиной 30-100 нм. В ходе предварительных экспериментов было обнаружено, что если на сапфировую подложку или подложку с предварительно осажденным слоем нитрида галлия нанести нанопленку титана, то на такой пленке возможен рост GaN ННК с рекордно высокой скоростью, на порядок превышающей максимальные опубликованные в литературе значения порядка 1 мкм в мин., и на 2 порядка превышающей стандартную для МОГФЭ скорость роста планарного GaN, при этом все ННК имеют правильную гексагональную форму и ориентированы строго по оси (0001). В литературе, насколько известно авторам проекта, не встречается упоминаний о возможности такого способа роста GaN ННК. В ходе проведения проекта планируется всестороннее исследование обнаруженного эффекта, выявление условий, необходимых для организации роста ННК, изучение механизма роста, в частности, изучение титановой нанопленки до и после начала роста, изучение стадии зарождения ННК а также изучение влияния условий эпитаксиального процесса на рост ННК. Наблюдаемый характер роста с четко выделенными гранями (11-20) позволяет рассчитывать на создание активной области с квантовыми ямами InGaN на боковой поверхности ННК. Поэтому дополнительной задачей будет являться изучение вхождения индия в слои InGaN на боковых гранях ННК, изучение влияния температуры на длину волны излучения а также изучение зависимости интенсивности излучения от длины волны.
