| Название: | Эффекты коллективных возбуждений в полупроводниковых слоях и наноструктурах, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Ключевые слова: | плазмоны, поляритоны, наноструктуры, квантовые ямы, фононы, молекулярно-пучковая эпитаксия |
| Время действия проекта: | 2012-2014 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Копьев,ПС |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 12-02-00856 |
| Финансирование 2012 г.: | 700000 |
| Исполнители: |
Европейцев,ЕА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Жмерик,ВН: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Лебедев,АВ: None
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Нечаев,ДВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Семенов,АН: None
Усикова,АА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Шевченко,ЕА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Шубина,ТВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
|
Проект направлен на исследование взаимодействия электромагнитного излучения с коллективными колебаниями носителей заряда, фононами и модами шепчущих галерей в полупроводниковых слоях и наноструктурах, предназначенных для применения в качестве основы оптоэлектронных приборов инфракрасного (ИК) и терагерцового (ТГц) диапазонов. В проекте предполагается исследовать такие явления как: - плазмон-поляритоны в узкозонных полупроводниках, обладающих поверхностными слоями, аккумулирующими электроны; - плазменные колебания в двумерном электронном газе в квантовых ямах, в том числе выполненных из полярных полупроводников; - взаимодействие коллективных возбуждений с фононами; - моды шепчущих галерей в наноструктурах на основе вюрцитных соединений. В проекте планируется использование методов спектроскопии с высоким пространственным и временным разрешением, а также угловой и поляризационной спектроскопии в оптическом диапазоне. Наряду с этим будут проводиться исследования оптических характеристик (поглощения, отражения, люминесценции) в дальнем ИК и ТГц диапазоне. Исследуемые образцы предполагается выращивать высокопрецизионным методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Предполагается, что комплексное развитие технологии МПЭ, исследовательских методик, а также ростовых и постростовых методов создания профиля поверхности, позволит получить люминесценцию в дальнем ИК и ТГц диапазонах за счет использования плазменных волн в слоях вырожденных полупроводников и квантовых ямах. Обеспечение связи плазмонов с электромагнитным излучением будет осуществлено посредством специально сформированных решеток. Исследование мод шепчущих галерей будет способствовать улучшению характеристик светоизлучающих приборов на основе А3-нитридных соединений. Проект предполагает изучение фундаментальных оптических свойств образцов и проведение ряда материаловедческих исследований, результаты которых могут быть востребованы исследователями из близких областей.
