Название:	Неполярный и полуполярный нитрид галлия на кремнии: хлоридная технологи толстых слоев на поверхности, нано-маскированной оксидом алюминия; структурные, электрические и оптические свойства
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	03 - ХИМИЯ
Ключевые слова:	нитрид галлия, гетероэпитаксия, широкозонные полупроводники
Время действия проекта:	2010-2012
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Коненкова,ЕВ
Подразделения:
Код проекта:	10-03-00433
Финансирование 2010 г.:	600000
Исполнители:	Бессолов,ВН: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Ботнарюк,ВМ: None Жиляев,ЮВ: None Полетаев,НК: None Раевский,СД: None Родин,СН: None Сныткина,СА: None Шарофидинов,ШШ : лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)

Проект направлен на разработку концепции и технологии эпитаксиального роста нитрида галлия с неполярными (11-20) и полуполярными (11-22) поверхностями при гетероэпитаксии на предварительно сформированной методом анодизации оксидированной алюминиевой нано-маске поверхности кремниевой подложки; изучению структурных, электрических и люминесцентных свойств нитрид галлиевых слоев. В основу концепции положена идея селективной эпитаксии нитрида галлия на поверхности Si (113) через предварительно сформированную нано-пористую оксид-алюминиевую маску. Оксид-алюминиевая нано-пористая маска на кремниевой подложке формировалась методом химической анодизации из растворов электролитов алюминиевого слоя на поверхности кремния. Основной задачей проекта являются разработка хлоридной газофазной технологии толстых (> 10 мкм) эпитаксиальных слоев нитрида галлия с неполярными (11-20) и полуполярными (11-22) поверхностями на кремниевой подложке; изучение их структурных, электрических и люминесцентных свойств для целей коротковолновой электроники.