| Название: | Организация и проведение 4-го Международного симпозиума по росту А3-нитридов |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-205 Нано- и микроструктуры |
| Ключевые слова: | полупроводниковые соединения А3N, объемные кристаллы, гетероструктуры, 3D-наноструктуры, эпитаксиальные технологии, дефекты, легирование, поверхность, наноэлектроника, оптоэлектроника, спиновая электроника, квантовые ямы, квантовые точки, лазеры и светодиоды, транзисторы |
| Тип: | конференционный |
| Руководитель(и): | Иванов,СВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 12-02-06057 |
| Финансирование 2012 г.: | 600000 |
4-й Международный симпозиум по росту А3-нитридов (4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4)) - это крупный регулярный международный симпозиум, посвященный вопросам технологии и исследованию фундаментальных свойств полупроводниковых материалов А3-нитридов: объемных кристаллов, твердых растворов и наногетероструктур, предназначенных для использования в мощной высокотемпературной микроэлектронике, оптоэлектронике видимого и УФ диапазонов и высокотемпературной спинтронике. Он впервые проводится в России и собирает ведущих экспертов в данной области и наиболее активно работающих ученых со всего мира для обмена передовыми идеями и научными результатами, полученными за последние два года. Предыдущие симпозиумы проводились в Швеции (2006), Японии (2008), Франции (2010). Организация такого крупного научного мероприятия в наиболее интенсивно и широко развивающейся области полупроводниковой физики и технологии, включая и нанотехнологию, чрезвычайно важна для России, поскольку именно с нитридами III группы связано развитие таких областей промышленности как светодиодное освещение, цветные светодиодные дисплеи, ультрафиолетовая полупроводниковая оптоэлектроника, лазеры для медицины и DVD систем с повышенной плотностью записи информации и т.д. В то же время, это отражает признание вклада российских ученых в разработки мирового уровня, выполняемые в данной области. Проведение данного мероприятия даст возможность большому числу российских специалистов из институтов, вузов и развивающихся наукоемких компаний, работающих в данной области полупроводниковой технологии и электроники, получить информацию из первых рук. Программа симпозиума включает 4 дня. Планируется 300 участников практически из всех развитых стран мира, причем ожидается 50 представителей науки и технологии из России. Это является несомненным прогрессом для симпозиумов такого уровня, обычно собирающих не более 10 российских участников, и обусловлено местом проведения, а также существенной поддержкой Оргкомитетом участия российских ученых за счет снижения их оргвзноса и частичной компенсации расходов на проживание. Прогнозируется также значительное количество молодых ученых. Научная программа симпозиума будет включать 25 приглашенных докладов ведущих экспертов, выбранных международными Координационным и Программным комитетами, 40 устных докладов и около 200 стендовых докладов (22 приглашенных докладчика уже подтвердили свое участие, см. www.ioffe.ru/ISGN4). Он будет проходить в отеле <Санкт-Петербург>, где предполагается также и размещение всех участников симпозиума. 6.6. Председатель оргкомитета: Иванов Сергей Викторович
