Название:Лазерные наногетероструктуры с оптической накачкой на основе широкозонных полупроводников А2В6: электронно-зондовое исследование структурных, люминесцентных и транспортных свойств с целью повышения квантовой эффективности
Грантодатель:РФФИ
Область знаний:02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:02-205 Нано- и микроструктуры 02-202 Полупроводники
Ключевые слова:молекулярно-пучковая эпитаксия, лазерный конвертер, широкозонные полупроводники А2В6, наногетероструктуры, квантовые точки, катодолюминесценция, квантов, рентгеноспектральный микроанализ, метод Монте-Карло
Время действия проекта:2009 - 201
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Иванов,СВ
Подразделения:
Код проекта:09-02-12406
Финансирование 2009 г.:2000000
Исполнители: Гронин,СВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Заморянская,МВ: лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
Кайбышев,ВХ: None
Конников,СГ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Ситникова,АА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Сорокин,СВ: None
Шахмин,АА: лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
Проект направлен на разработку базовой технологии эпитаксиального роста методом МПЭ и оригинальной конструкции наногетероструктур широкозонных полупроводников А2В6 с квантовыми ямами и точками, использующихся в качестве активных элементов инжекционных лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона, и на исследование их структурных, люминесцентных и транспортных свойств. С помощью оригинальной комплексной методики, объединяющей катодолюминесценцию и рентгеноспектральный микроанализ, предполагается провести разработку высоко разрешающего по глубине неразрушающего метода восстановления профилей химического состава, упругих напряжений, распределения протяженных и точечных дефектов в многослойных лазерных наногетероструктурах А2В6 с целью достижения их предельной квантовой эффективности. К настоящему времени в силу фундаментальных причин в мире не созданы компактные полупроводниковые лазеры зеленого диапазона длин волн (500-550нм), важные для широкого ряда применений, таких как системы проекционного лазерного телевидения высокой четкости, устройства лазерной подводной и воздушной локации и навигации, медицинская флуоресцентная диагностика клеток и т.д. В России коллектив участников проекта имеет несомненный приоритет исследований в области эпитаксиальных технологий, обладая уникальным в стране 20-летним опытом по разработке технологии МПЭ. В основе предлагаемой работы лежат фундаментальные исследования технологии МПЭ полупроводниковых наногетероструктур широкозонных соединений A2B6, выполняемые как в рамках российских (РФФИ 09-02-00837-а, 08-02-00953-а, 07-02-12233_офи_а, 05-02-16568-а), так и международных (INTAS #03-51-5019, INTAS #01-2375, Volkswagen Foundation Project #I/77 856, Volkswagen Foundation Project # I/74 717) проектов. Нанодиагностическое направление исследований проекта обеспечивается сотрудниками одного из старейших в стране Центров коллективного пользования <Материаловедение и диагностика в передовых технологиях> на базе ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.