| Название: | Лазерные гетероструктуры в системе AlGaN для глубокого ультрафиолетового диапазона: получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота и исследование при оптической и электронно-лучевой накачке |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-205 Нано- и микроструктуры 02-330 Физика лазеров |
| Ключевые слова: | Широкозонные нитридные соединения, ультрафиолетовые полупроводниковые лазеры, наноструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, оптическая и электронная накачка, дефекты, локализация |
| Время действия проекта: | 2010-2011 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Жмерик,ВН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 10-02-90024 |
| Финансирование 2010 г.: | 800000 |
| Исполнители: |
Беляев,КГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Жданова,ЕВ: None
Зверев,ММ: None
Кайбышев,ВХ: None
Климко,ГВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Комиссарова,ТА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Студенов,ВБ: None
Шубина,ТВ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
|
Настоящий проект посвящен одной из наиболее актуальных тем полупроводниковой оптоэлектроники- развитие твердотельных источников ультрафиолетового (УФ) излучения в В и С-диапазонах (c длиной волны менее 315нм) на основе широкозонных соединений AlGaN. Российской стороной (ФТИ им.А.Ф.Иоффе) в проекте планируется развить основы технологии роста низкодефектных AlGaN слоев c высоким содержанием Al (выше 30%) и наногетероструктур на их основе с использованием молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией (МПЭ ПА). Основное внимание при этом будет уделяться изучению особенностей процессов генерации и аннигиляции прорастающих дислокаций, протекающих на различных интерфейсных границах гетероструктур системы Al2O3 - AlxGa(1-x)N - AlyGa(1-y)N в сильнонеравновесных условиях низкотемпературной (<800°C) МПЭ ПА. В проекте также планируется исследование эффектов локализации носителей в AlGaN структурах с неоднородной шириной зоны в различных направлениях. Будут исследоваться структуры с двумерными квантовыми ямами, сформированные с помощью специальных (во-многом - оригинальных) методик, так и спонтанно-образующиеся AlGaN наногетероструктуры, имеющие неоднородности по содержанию Al (ширине запрещенной зоны) в ростовом и/или в латеральном направлениях и пространственных масштабах - от нескольких монослоев до десятков нанометров. Белорусской стороной проекта будут проводиться теоретические и экспериментальные работы по определению и оптимизации параметров AlGaN наногетероструктур, необходимых для лазерной генерации в УФ-В,С диапазонах, возбуждаемой с помощью оптической накачки. Планируется построение моделей, позволяющих рассчитывать необходимые параметры слоев гетероструткур для заданных значений длины волны лазерной генерации и ее модового состава, а также определять базовые внутренние характеристики лазерных структур -, коэффициенты оптического усиления и др. Отдельно будут исследоваться ( в сотрудничестве со вторым российским участником проекта- МИРЭА) вопросы получения лазерной генерации в AlGaN наногетероструктурах при их электронной накачке.
