| Название: | Молекулярно-пучковая эпитаксия и транспортные свойства экстремально рассогласованных гетероструктур InAsSb/AlInSb/GaAs с двумерным электронным каналом |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Ключевые слова: | полупроводниковые гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовая яма, двумерный электронный газ, подвижность носителей, дефекты несоответствия, упругие напряжения |
| Время действия проекта: | 2009-2011 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Семенов,АН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 09-02-01500 |
| Финансирование 2009 г.: | 600000 |
| Исполнители: |
Комиссарова,ТА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Лебедев,АВ: None
Мельцер,БЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Ситникова,АА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Соловьев,ВА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Терентьев,ЯВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Усикова,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
|
Проект направлен на исследование фундаментальных процессов формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии многослойных гетероструктур с двумерным электронным каналом в системе AlInSb/InAsSb, а также изучение их структурных и транспортных свойств с использованием самого современного набора характеризационных методик . Особенностью данных гетероструктур является необходимость роста на полуизолирующих подложках GaAs (для реализации канала высокой проводимости в плоскости роста), рассогласованных по периоду решетки с материалом канала на 14%. Значительное внимание в рамках данного проекта будет уделено исследованию начальных стадий роста эпитаксиальных слоев AlInSb на GaAs. Используя комплексный подход, будут исследованы механизмы роста, кинетика поверхностных процессов и особенности релаксации напряжений в условиях прдельного для А3В5 рассогласования периодов кристаллических решеток. Важным аспектом для реализации потенциальных преимуществ канала на основе InSb является изучение механизмов дефектообразования и динамики их прорастания, а также поиск методов подавления распространения протяженных дефектов в область двумерного канала. Помимо экспериментальных исследований будут проведены теоретические расчеты зонных диаграмм гетеросистемы AlInSb/InAsSb с целью оптимизации профиля напряжений в структуре и улучшения ограничения носителей в канале посредством увеличения толщины и глубины квантовой ямы. Будут изучены механизмы рассеяния носителей в двумерном канале КЯ InAsSb по сравнению с бинарной КЯ InSb, а также влияние упругих напряжений и плотности протяженных дефектов на транспортные характеристики системы. В оптимизированных структурах будут исследованы электрофизические характеристики КЯ InSb по сравнению с объемными слоями InSb и модельными гетероструктурами c двумерным электронным каналом в КЯ InAs/AlGaSb.
