| Название: | Экситонные и плазмонные эффекты в кристаллах и наноструктурах на основе соединений А2-оксидов и А3-нитридов |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-340 Спектроскопия |
| Ключевые слова: | экситон, поляритон, плазмон, медленный свет, Ми резонанс, рассеяние фотонов, GaN, ZnO, InN |
| Время действия проекта: | 2010-2012 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Шубина,ТВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 10-02-00633 |
| Финансирование 2010 г.: | 800000 |
| Исполнители: |
Беляев,КГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Кайбышев,ВХ: None
Климко,ГВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Лебедев,АВ: None
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Сорокин,СВ: None
Усикова,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
|
Проект направлен на исследование процессов взаимодействия электромагнитного излучения с экситонными и плазмонными резонансами в полупроводниковых кристаллах, слоях и композитных наноструктурах на основе А2-оксидных и А3-нитридных соединений. Основное содержание проекта заключается в исследовании явления "медленного света", а также в изучении влияния плазмонных резонансов на излучение. Планируется широкое применение спектроскопии с временным и пространственным разрешением. Будут определены доминирующие механизмы переноса излучения в исследуемых структурах, а также спектральные зависимости времени задержки, ослабления и искажения формы прошедшего импульса. На основе полученных данных предполагается развитие поляритонной и диффузионной моделей для описания прохождения света в окрестности резонансных линий свободных и связанных экситонов. Выполнение исследований методом время-пролетной спектроскопии при различных температурах позволит прояснить природу ряда резонансных линий в экситонных спектрах ZnO. Моделирование спектральных зависимостей времен задержки и формы импульсов "медленного света" в ZnO и GaN позволит получить уточненные данные о величинах экситонных и диффузионных параметров. Будет исследована возможность создания периодических полупроводниковых и металл-полупроводниковых наноструктур для реализации "медленного света". Измерение характеристических времен затухания фотолюминесценции в плазмонных нанокомпозитах (прежде всего InN/In) и их сопоставление с данными структурного анализа и микро-катодолюминесценции позволит сделать заключение о возможности повышении эффективности излучательной рекомбинации (реализации эффекта Пурселла) в подобных структурах. В целях проекта планируется также развитие технологии молекулярно-пучковой эпитаксии для роста высококачественных слоев и нанокомпозитов.
