Название:	Получение эпитаксиальных гетероструктур c нанодоменами и сверхструктурными фазами в результате контролируемого спинодального распада тройных и четверных твердых растворов на основе A3B5
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники 02-212 Образование и структура кристаллов
Ключевые слова:	эпитаксиальные гетероструктуры, нанодоменамы, сверхструктурные фазы, спинодальный распад, полупроводники
Время действия проекта:	2009-2011
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Середин,ПВ
Подразделения:
Код проекта:	09-02-97505
Финансирование 2009 г.:	500000
Исполнители:	Арсентьев,ИН: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Винокуров,ДА: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Глотов,АВ Дивакова,НА Тарасов,ИС: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Терехов,ВА Ховив,ДА

Цель проекта - получение эпитаксиальных гетероструктур c нанодоменами и сверхструктурными фазами в результате спинодального распада тройных и четверных твердых растворов на основе A3B5. Установление закономерностей образования нанодоменов и сверхструктурных фаз упорядочения для использования их функциональных свойств, обусловленных наноразмерностью. Анализ научной литературы за последнее время указывает на резко возросший интерес к наноразмерным монокристаллическим материалам. Наномасштаб кристаллитов определяет их особые физико-химические свойства по сравнению с "объемными" материалами. Исследование свойств и закономерностей связанных с наноразмерами функциональных материалов является фундаментальной задачей современного материаловедения. Использование этих свойств позволит создавать новые приборы и устройства, характеристики которых кардинальным образом отличаются от показателей систем и устройств аналогичного назначения, созданных по традиционным технологиям. В результате выполнения проекта предполагается получить наноматериалы для оптоэлектронной промышленности, превосходящие отечественные и зарубежные аналоги, которые могут быть использованы для решения многих значимых задач. Настоящий проект направлен на исследование возможностей управления свойствами полупроводниковых соединений, разработку новых типов гетероструктур и устройств с использованием доменной структуры фаз упорядочения.