Fabrication and characterization of n-ZnO/p-AlGaN heterojunction light-emitting diodes on 6H-SiC substrates
2003, Appl. Phys. Lett., v.83, 23
ISSN: 0003-6951

Страницы: 4719 - 4721
Авторы:Alivov,YI; Kalinina,EV; Cherenkov,AE; Look,DC; Ataev,BM; Omaev,AK; Chukichev,MV; Bagnall,DM
Авторы (ФТИ):Kalinina,EV; Cherenkov,AE
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.1632537 Scopus® times cited:483 Scopus® ID:2-s2.0-0346910469 Web of Science® times cited:442 Web of Science® ID:WOS:000186970200011
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1063/1.1632537